国際半導体製造装置材料協会(国際半導体製造装置材料協会規格)
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<邦訳版請求記号:509.13-17(図書扱い)>
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| 規格番号 | タイトル | ハンドブック情報 | ||
|---|---|---|---|---|
| 年号 | 巻号 | 分野 | ||
| SEMI C1-93 | 試薬に関する仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1-95 | 試薬に関する仕様 | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1-95 | 試薬に関する仕様 | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1-0701 | 試薬に関する仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.1-91 | 酢酸(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.1-91 | 酢酸(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.1-96 | 酢酸(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.2-91 | アセトン(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.2-91 | アセトン(スタンダード) | 1995 | 1 | |
| SEMI C1.2-96 | アセトン(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.3-90 | ふっ化アンモニウム40%溶液(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.3-95 | ふっ化アンモニウム40%溶液(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.3-95 | ふっ化アンモニウム40%溶液(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.4-90 | アンモニア水(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.4-95 | アンモニア水(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.4-95 | アンモニア水(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.5-91 | 酢酸n-ブチル(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.5-91 | 酢酸n-ブチル(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.5-96 | 酢酸n-ブチル(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.6-91 | ジクロロメタン(塩化メチレン) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.6-91 | ジクロロメタン(塩化メチレン) (スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.6-96 | ジクロロメタン(塩化メチレン) (スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.7-90 | 塩酸(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.7-95 | 塩酸(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.7-95 | 塩酸(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.8-90 | ふっ化水素酸(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.8-95 | ふっ化水素酸(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.8-95 | ふっ化水素酸(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.9-90 | 過酸化水素(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.9-95 | 過酸化水素(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.9-96 | 過酸化水素(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.10-91 | メタノール(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.10-91 | メタノール(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.10-96 | メタノール(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.11-90 | メチルエチルケトン(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.11-95 | メチルエチルケトン(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.11-95 | メチルエチルケトン(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.12-93 | 硝酸(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.12-95 | 硝酸(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.12-96 | 硝酸(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.13-93 | りん酸(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.13-95 | 80%りん酸(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.13-96 | 80%りん酸(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.14-90 | 水酸化カリウム･ペレット(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.14-95 | 水酸化カリウム(固体) (スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.14-95 | 水酸化カリウム(固体) (スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.15-91 | 2-プロパノール(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.15-91 | 2-プロパノール(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.15-96 | 2-プロパノール(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.16-91 | 硫酸(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.16-95 | 硫酸(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.16-96 | 硫酸(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.17-91 | テトラクロロエチレン(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.18-91 | トルエン(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.19-93 | トリクロロエチレン(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.20-91 | トリクロロトリフロロエタン(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.21-90 | キシレン(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.21-92 | キシレン(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.21-92 | キシレン(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.22-90 | 水酸化ナトリウム・ペレット(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.22-95 | 水酸化ナトリウム(固体) (スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.22-95 | 水酸化ナトリウム(固体) (スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.23-93 | ヘキサメチルジシラザン(HMDS) (スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.23-94 | ヘキサメチルジシラザン(HMDS) (スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.23-94 | ヘキサメチルジシラザン(HMDS) (スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.24-91 | 1,1,1-トリクロロエタン 電子グレード(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.25-92 | 1-メチル-2-ピロリドン(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.25-95 | N-メチル-2-ピロリドン(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.25-95 | N-メチル-2-ピロリドン(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.26-92 | 1,1,1,トリクロロエタン,ファーネスグレード(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.26-92 | 1,1,1,トリクロロエタン,ファーネスグレード(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.26-92 | 1,1,1,トリクロロエタン,ファーネスグレード(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.27-93 | りん酸86%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C1.27-95 | りん酸86%(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C1.27-96 | 86%りん酸(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2-90 | 腐食剤(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C2-95 | 腐食剤(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2-95 | 腐食剤(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2-95 | 腐食剤(スタンダード) | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2.1-90 | 混合酸腐食剤(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C2.1-95 | 混合酸腐食剤(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2.1-95 | 混合酸腐食剤(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2.2-90 | バッファー酸化腐食剤(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C2.2-95 | バッファー酸化腐食剤(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2.2-95 | バッファ一酸化腐食剤(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2.3-90 | りん腐食剤(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C2.3-95 | りん腐食剤(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C2.3-95 | りん腐食剤(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C3-92 | ガスの仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3-95 | ガスの仕様 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3-95 | ガスの仕様 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3-0699 | ガスの仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.1-93 | アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.998%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.1-93 | アルゴン(Ar ),バルク液体,品質99.998%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.1-93 | アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.998%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.1-93 | アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.998%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.2-92 | アルシン(AsH3),シリンダー充填(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.2-92 | アルシン(AsH3),シリンダー充填(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.2-92 | アルシン(AsH3),シリンダー充填(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.2-0301 | アルシン(AsH3),シリンダ充填,品質99.94%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.3-88 | 塩化水素(HCl),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.4-93 | 水素(H2),バルク液体,品質99.9995%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.4-93 | 水素(H2),バルク液体,品質99.9995%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.4-93 | 水素(H2),バルク液体,品質99.9995%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.4-93 (撤回1999) |
水素(H2),バルク液体,品質99.9995%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.5-93 | 窒素(N2),バルク液体,品質99.998%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.5-93 | 窒素(N2),バルク液体,品質99.998%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.5-93 | 窒素(N2),バルク液体,品質99.998%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.5-93 (Reapproved0999) |
窒素(N2),バルク液体,品質99.998%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.6-93 | ホスフィン(PH3),シリンダー充填,品質99.98%(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.6-95 | ホスフィン(PH3),シリンダー充填,品質99.98%(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.6-95 | ホスフィン(PH3)シリンダー充填,品質99.98%(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.6-0701 | ホスフィン(PH3),シリンダ充填,99.98%(仕様) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.8-86 | シラン(SiH4),エピタキシャルグレード シリンダー充填(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.9-86 | シラン(SiH4),ポリシリコン,及び二酸化シリコングレード,シリンダー充填(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.10-92 | シラン(SiH4),シリコン窒化物グレード シリンダー充填(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.10-95 | シラン(SiH4) (暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.10-95 | シラン(SiH4)(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.10-95 (撤回0701) |
シラン(SiH4)(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.11-93 | 四塩化シリコン(SiCl4),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.11-93 | 四塩化シリコン(SiCl4),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.11-93 | 四塩化シリコン(SiCl4),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.11-93 (撤回0701) |
四塩化シリコン(SiCl4),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.12-89 | アンモニア(NH3),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.12-94 | アンモニア(NH3),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.12-94 | アンモニア(NH3),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.12-94 | アンモニア(NH3),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.13-93 | 亜酸化窒素(N2O),シリンダー充填,品質99.997%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.13-93 | 亜酸化窒素(N2O),シリンダー充填,品質99.997%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.13-93 | 亜酸化窒素(N2O),シリンダー充填,品質99.997%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.13-1000 | 亜酸化窒素(N2O),シリンダー充填,品質99.997%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.14-89 | アルゴン(Ar),シリンダー充填 キャリヤーグレード(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.14-94 | アルゴン(Ar),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.14-94 | アルゴン(Ar),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.14-94 (撤回0701) |
アルゴン(Ar),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.15-93 | 窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9992%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.15-93 | 窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9992%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.15-93 | 窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9992%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.15-93 (Reapproved0999) |
窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9992%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.16-90 | 酸素(O2),電子グレード シリンダー充填(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.16-95 | 酸素(O2),シリンダー充填,定量99.50%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.16-95 | 酸素(O2),シリンダー充填,定量99.50%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.16-95 (撤回1000) |
酸素(O2),シリンダ充填,定量99.50%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.17-90 | 酸素(O2),MOSグレード シリンダー充填(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.17-90 | 酸素(O2),MOSグレード シリンダー充填(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.18-89 | ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.18-94 | ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填,品質97%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.18-94 | ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填,品質97%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.18-94 | ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダ充填,品質97%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.19-93 | 水素(H2),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.19-93 | 水素(H2),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.19-93 | 水素(H2),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.19-0200 | 水素(H2),品質99.9995%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.20-92 | ヘリウム(He),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.20-92 | ヘリウム(He),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.20-92 | ヘリウム(He),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.20-92 (Reapproved0999) |
ヘリウム(He),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.21-90 | 四フッ化炭素(CF4),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.21-90 | 四フッ化炭素(CF4),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.21-90 | 四フッ化炭素(CF4),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.21-90 (撤回1000) |
四フッ化炭素(CF4),シリンダー充填(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.22-93 | 酸素(O2),バルク液体(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.22-93 | 酸素(O2),バルク液体,品質99.5%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.22-93 | 酸素(O2),バルク液体,品質99.5%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.22-1000 | 酸素(O2),シリンダ充填,品質99.5%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.23-90 | 酸素(O2),VLSIグレード シリンダー充填(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.23-95 | 酸素(O2),シリンダー充填,品質99.98%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.23-95 | 酸素(O2),シリンダー充填,品質99.98%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.23-1000 | 酸素(O2),品質99.98%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.24-90 | 六フッ化硫黄(SF6),シリンダー充填 (スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.24-95 | 六フッ化硫黄(SF6),シリンダー充填,品質99.97%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.24-95 | 六フッ化硫黄(SF6),シリンダー充填,品質99.97%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.24-0301 | 六フッ化硫黄(SF6),シリンダ充填,品質99.97%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.26-93 | 六フッ化タングステン(WF6),シリンダー充填,品質99.8%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.26-94 | 六フッ化タングステン(WF6),シリンダー充填,品質99.8%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.26-94 | 六フッ化タングステン(WF6),シリンダー充填,品質99.8%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.26-0301 | 六フッ化タングステン(WF6),シリンダ充填,品質99.8%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.27-88 | 三フッ化ホウ素(BF3),シリンダー充填(スタンダード) (暫定) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.27-94 | 三フッ化ホウ素(BF3),シリンダー充填,品質99.0%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.27-94 | 三フッ化ホウ素(BF3),シリンダー充填,品質99.0%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.27-94 | 三フッ化ホウ素(BF3),シリンダ充填,品質99.0%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.28-92 | 窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9996%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.28-92 | 窒素(N2),シリンダー充填,VLSIグレード(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.28-92 | 窒素(N2),シリンダー充填,VLSIグレード(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.28-0200 | 窒素(N2),シリンダー充填,VLSIグレード,品質99.9996%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.29-90 | 窒素(N2),VLSIグレード バルクガス状(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.29-90 | 窒素(N2),VLSIグレード バルクガス状(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.29-96 | 窒素(N2),バルクガス状,品質99.9995%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.29-96 (Reapproved0999) |
窒素(N2),バルクガス状,品質99.9995%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.30-90 | 水素(H2),VLSIグレードバルク(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.30-90 | 水素(H2),VLSIグレードバルク(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.30-96 | 水素(H2),バルク,99.9997%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.30-96 (Reapproved0999) |
水素(H2),バルク,99.9997%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.31-89 | ジクロロシラン(H2SiCl2),モスグレード,シリンダー充填(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.31-94 | ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填,品質99%(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.31-94 | ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填,品質99%(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.31-94 | ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダ充填,品質99%(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.32-92 | 塩素(Cl2) (暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.32-95 | 塩素(Cl2),品質99.996%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.32-95 | 塩素(Cl2),品質99.996%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.32-0301 | 塩素(Cl2),品質99.996%(仕様) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.33-92 | 三塩化ホウ素(BCl3) (暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.33-92 | 三塩化ホウ素(BCl3) (暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.33-92 | 三塩化ホウ素(BCl3) (暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.33-92 | 三塩化ホウ素(BCL3)(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.34-92 | ジシラン(Si2H6),(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.34-92 | ジシラン(Si2H6), (スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.34-92 | ジシラン(Si2H6),(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.34-92 | ジシラン(Si2H6)(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.35-92 | 塩化水素(HCl),VLSIグレード(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.35-95 | 塩化水素(HCl),品質99.997%(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.35-95 | 塩化水素(HCl),品質99.997%(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.35-95 | 塩化水素(HCl),品質99.997%(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.36-89 | 塩化水素(HCl),SEMIグレード(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.36-94 | 塩化水素(HCl),品質99.994%(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.36-94 | 塩化水素(HCl),品質99.994%(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.36-94 (撤回0701) |
塩化水素(HCl),品質99.994%(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.37-93 | 六フッ化エタン(C2F6),品質99.97%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.37-93 | 六フッ化エタン(C2F6),品質99.97%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.37-93 | 六フッ化エタン(C2F6),品質99.97%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.37-0701 | 六フッ化エタン(C2F6),品質99.97%(仕様) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.38-89 | 六フッ化タングステン(WF6),VLSIグレード(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.38-89 | 六フッ化タングステン(WF6),VLSIグレード(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.38-89 | 六フッ化タングステン(WF6),VLSIグレード(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.39-91 | 三フッ化窒素(NF3) (暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.39-91 | 三フッ化窒素(NF3) (暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.39-91 | 三フッ化窒素(NF3) (暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.39-0999 | 3フッ化窒素(NF3) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.40-92 | 四フッ化炭素(CF4),VLSIグレード(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.40-92 | 四フッ化炭素(CF4),VLSIグレード(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.40-92 | 四フッ化炭素(CF4),VLSIグレード(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.40-1000 | 四フッ化炭素(CF4),VLSIグレード(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.41-90 | 酸素(O2),VLSIグレード,バルク(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.41-95 | 酸素(O2),品質99.9998%(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.41-0697 | 酸素(O2),バルク,品質99.9998%(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.41-0697 | 酸素(O2),バルク,品質99.9998%(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.42-90 | アルゴン(Ar),VLSIグレードバルク(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.42-90 | アルゴン(Ar),VLSIグレードバルク(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.42-90 | アルゴン(Ar),VLSIグレードバルク(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.42-90 | アルゴン(Ar),VLSIグレードバルク(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.43-90 | フッ化水素(HF),無水(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.43-90 | フッ化水素(HF),無水(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.43-90 | フッ化水素(HF),無水(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.43-90 (撤回0701) |
フッ化水素(HF),無水(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.44-91 | ジボラン(B2H6) (スタンダード) (暫定) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.44-91 | ジボラン(B2H6) (暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.44-91 | ジボラン(B2H6) (暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.44-91 (撤回0701) |
ジボラン(B2H6)(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.45-92 | 六フッ化エタン(C2F6),品質99.996%(暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.45-92 | 六フッ化エタン(C2F6),品質99.996%(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.45-92 | 六フッ化エタン(C2F6),品質99.996%(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.45-92 (撤回0701) |
六フッ化エタン(C2F6),品質99.996%(暫定スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.46-93 | アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.9992%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.46-93 | アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.9992%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.46-93 | アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.9992%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.46-93 | アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.9992%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.47-93 | 臭化水素(HBr) (暫定スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.47-95 | 臭化水素(HBr) 品質99.98%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.47-95 | 臭化水素(HBr) 品質99.98%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.47-95 | 臭化水素(HBr)品質99.98%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.48-93 | 窒素(N2),バルク液体,品質99.9994%(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C3.48-93 | 窒素(N2),バルク液体,品質99.9994%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.48-93 | 窒素(N2),バルク液体,品質99.9994%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.48-0200 | 窒素(N2),バルク液体,品質99.9994%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.49-94 | バルク窒素,品質99.99999%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.49-94 | バルク窒素,品質99.99999%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.49-94 | バルク窒素,品質99.99999%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.50-95 | 亜酸化窒素(N2O) 99.9994%品質(暫定スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.50-95 | 亞酸化窒素(N20) 99.9994%品質(暫定スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.50-1000 | 亜酸化窒素(N2O),99.9994%(ガイドライン) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.51-95 | 三塩化ホウ素(BCl3),品質99.98%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.51-95 | 三塩化ホウ素(BCl3),品質99.98%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.51-95 | 三塩化ホウ素(BCl3),品質99.98%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.52-95 | 六フッ化タングステン(WF6),品質99.996%(スタンダード) | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C3.52-95 | 六フッ化タングステン(WF6),品質99.996%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.52-0200 | 六フッ化タングステン(WF6),99.996%品質のスタンダード | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.53-95 | 三フッ化メタン(CHF3),品質99.95%(スタンダード) | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.53-95(撤回0701) | 三フッ化メタン(CHF3),品質99.95%(スタンダード) | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.54-0697 | シラン(SiH4)のガス純度ガイドライン | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C3.54-0200 | シラン(SiH4)のガス純度ガイドライン | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.55-0200 | シラン(SiH4),バルクのスタンダード | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.56-0600 | ジボラン混合ガスの仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.57-0600 | シリンダ中の電子的グレード二酸化炭素,CO2の仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C3.58-0600 | 八フッ化シクロブタン,C4F8,電子グレード,シリンダ充填の仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C6.1-89 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C6.2-93 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02酸素に対する微粒子仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C6.2-93 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02酸素に対する微粒子仕様 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C6.2-93 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02酸素に対する微粒子仕様 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C6.2-93 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02酸素に対するパーティクル仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C6.3-89 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2水素(H2)に対する微粒子仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C6.3-89 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2水素(H2)に対する微粒子仕様 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C6.3-89 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2水素(H2)に対する微粒子仕様 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C6.3-89 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02水素(H2)に対するパーティクル仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C6.4-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C6.4-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C6.4-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C6.4-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対するパーティクル仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C6.5-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C6.5-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C6.5-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C6.5-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対するパーティクル仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C6.6-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.1窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C6.6-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.1窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C6.6-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.1窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C6.6-90 | パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.1窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対するパーティクル仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C6.7-93 | 高圧ガスシリンダー中のグレード10/0.2窒素に対する微粒子仕様 | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C6.7-93 | 高圧ガスシリンダー中のグレード10/0.2窒素に対する微粒子仕様 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C6.7-93 | 高圧ガスシリンダー中のグレード10/0.2窒素に対する微粒子仕様 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C6.7-93 | 高圧ガスシリンダ中のグレード10/0.2窒素に対するパーティクル仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C7.1-93 | アンモニア水,グレード2(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.1-95 | アンモニア水,グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.1-96 | アンモニア水,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.2-90 | 塩酸(ガイドライン) TIER A | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.2-94 | 塩酸,グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.2-94 | 塩酸,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.3-93 | ふっ化水素酸,グレード2(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.3-93 | ふっ化水素酸,グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.3-93 | ふっ化水素酸,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.4-93 | 4.9%ふっ化水素酸(10:1v/v),グレード2(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.4-93 | 4.9%ふっ化水素酸(10:1 V/V),グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.4-93 | 4.9%ふっ化水素酸(10:1 V/V),グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.5-93 | 過酸化水素,グレード2(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.5-95 | 過酸化水素,グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.5-95 | 過酸化水素,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.6-93 | 硝酸,グレード2(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.6-95 | 硝酸,グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.6-95 | 硝酸,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.7-93 | 2-プロパノール,グレード2(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.7-93 | 2-プロパノール,グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.7-93 | 2-プロパノール,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.8-93 | 硫酸,グレード2(スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.8-94 | 硫酸,グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.8-94 | 硫酸,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.9-93 | バッファード・酸化腐食剤(ガイドライン) TIER A | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.9-93 | バッファード・酸化腐食剤(ガイドライン) TIER A | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.9-93 | バッファード・酸化腐食剤(ガイドライン) TIER A | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.10-91 | ヘキサメチルジシラザン(ガイドライン) (スタンダード) | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.10-94 | ヘキサメチルジシラザン(ガイドライン) TIER A | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.10-94 | ヘキサルメチルジシラザン(ガイドライン) TIER A | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.11-93 | りん酸(ガイドライン) TIER A | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.11-93 | りん酸(ガイドライン) TIER A | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.11-93 | りん酸(ガイドライン) TIER A | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.12-91 | オキシ塩化りん(ガイドライン) TIER A | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.12-91 | オキシ塩化りん(ガイドライン) TIER A | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.12-91 | オキシ塩化りん(POCl3) (ガイドライン) TIER A | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.13-91 | テトラエトキシシラン(ガイドライン) TIER A | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.13-95 | テトラエトキシシラン(ガイドライン) TIER A | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.13-95 | テトラエトキシシラン(ガイドライン) TIER A | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.14-91 | 25%テトラメチル水酸化アンモニウム(ガイドライン) TIER A | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.14-91 | 25%テトラメチル水酸化アンモニウム(ガイドライン) TIER A | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.14-91 | 25%テトラメチル水酸化アンモニウム(ガイドライン) TIER A | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.15-91 | トリクロロエタン・ファーネスグレード(ガイドライン) TIER A | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.15-91 | 1,1,1トリクロロエタン,ファーネスグレード(ガイドライン) TIER A | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.15-91 | 1,1,1トリクロロエタン,ファーネスグレード(ガイドライン) TIER A | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.16-92 | N-メチル2-ピロリドン(ガイドライン) TIER A | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C7.16-95 | N-メチル-2-ピロリドン,グレード2(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.16-95 | N-メチル-2-ピロリドン,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.17-94 | 三臭化ホウ素,TIER A(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.17-94 | 三臭化ホウ素,TIER A(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.18-95 | フッ化アンモニウム40%溶液,TIER A(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.18-95 | フッ化アンモニウム40%溶液,TIER A(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.19-95 | 混合酸腐食剤,TIER A(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.19-95 | 混合酸腐食剤,TIER A(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.20-95 | トランス1.2ジクロロエチレン,TIER A(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.20-95 | トランス1,2ジクロロエチレン,TIER A(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.21-95 | トリメチルホウ酸,TIER A(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.21-95 | トリメチルホウ酸,TIER A(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.22-95 | トリメチルホスフィン,TIER A(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.22-95 | トリメチルホスフィン,TIER A(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.23-0697 | 緩衝酸化物腐食剤,グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C7.24-0697 | リン酸(H3PO4),グレード2(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.1-92 | アンモニア水(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.1-95 | 水酸化アンモニウムグレード3(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.1-96 | 水酸化アンモニウム,グレード3(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.2-92 | 塩酸(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.2-92 | 塩酸(ガイドライン) TIER B | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.2-92 | 塩酸(ガイドライン) TIER B | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.3-92 | ふっ化水素酸(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.3-92 | ふっ化水素酸(ガイドライン) TIER B | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.3-96 | ふっ化水素酸(ガイドライン) TIER B | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.4-92 | 4.9%ふっ化水素酸(10:1 v/v) (ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.4-95 | 4.9%ふっ化水素酸(10:1 V/V)グレード3(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.4-95 | 4.9%ふっ化水素酸(10:1v/v),グレード3(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.5-92 | 過酸化水素(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.5-95 | 過酸化水素グレード3(スタンダード) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.5-95 | 過酸化水素,グレード3(スタンダード) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.6-92 | 硝酸(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.6-95 | 硝酸(ガイドライン) TIER B | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.6-95 | 硝酸(ガイドライン) TIER B | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.7-92 | 2-プロパノール(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.7-92 | 2-プロパノール(ガイドライン) TIER B | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.7-92 | 2-プロパノール(ガイドライン) TIER B | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.8-92 | 硫酸(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.8-92 | 硫酸(ガイドライン) TIER B | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.8-92 | 硫酸(ガイドライン) TIER B | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.9-93 | N-メチル2-ピロリドン(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.9-94 | N-メチル-2-ピロリドン(ガイドライン) TIER B | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.9-94 | N-メチル-2-ピロリドン(ガイドライン) TIER B | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.10-93 | りん酸(ガイドライン) TIER B | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C8.10-93 | りん酸(ガイドライン) TIER B | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C8.10-93 | りん酸(ガイドライン) TIER B | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C9.1-93 | 重量測定により調製された混合ガスの不確定性の分析に対するガイド | 1993 | 1 | ケミカル |
| SEMI C9.1-93 | 重量測定により調製された混合ガスの不確定性の分析に対するガイド | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C9.1-93 | 重量測定により調整された混合ガスの不確定性の分析に対するガイド | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C9.1-93 | 重量測定により調製された混合ガスの不確定性の分析に対するガイド | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C10-94 | プラズマ分光法による微量金属分析のための方法検出限界測定のガイドライン | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C10-94 | プラズマ分光法による微量金属分析のための方法検出限界測定のガイドライン | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C10-0299 | 方法検出限界の決定に関するガイド | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C10-0299 | 方法検出限界の決定に関するガイド | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.1-94 | 水酸化アンモニウム,VLSIグレード(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.1-94 | 水酸化アンモニウム,VLSIグレード(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.2-94 | フッ化アンモニウム溶液,VLSIグレード(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.2-94 | フッ化アンモニウム溶液,VLSIグレード(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.3-94 | フッ化水素酸,VLSIグレード(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.3-94 | フッ化水素酸,VLSIグレード(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.4-94 | 過酸化水素,VLSIグレード(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.4-94 | 過酸化水素,VLSIグレード(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.5-94 | 硫酸,VLSIグレード(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.5-94 | 硫酸,VLSIグレード(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C11.6-1296 | 塩酸(HCl),VLSIグレード(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C12.1-95 | 水酸化アンモニウム,TIER C(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C12.1-95 | 水酸化アンモニウム,TIER C(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C12.2-95 | 塩酸,TIER C(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C12.2-96 | 塩酸,TIER C(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C12.3-95 | 4.9%フッ化水素酸(10:1 V/V) TIER C(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C12.3-96 | 4.9%フッ化水素酸(10:1V/V) TIER C(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C12.4-95 | 過酸化水素,TIER C(ガイドライン) | 1995 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C12.4-95 | 過酸化水素,TIER C(ガイドライン) | 1997 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C13-95 | ユースポイントガスフィルターのパーティクル阻止および浸透性能のためのテスト方法 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C13-95 | ユースポイントガスフィルターのパーティクル阻止および浸透性能のためのテスト方法 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C13-95 | ユースポイントガスフィルターのパーティクル阻止および浸透性能のためのテスト方法 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C14-95 | 25cmガスフィルターカートリッジのパーティクル阻止と性能のためのテスト方法 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C14-95 | 25cmガスフィルターカートリッジのパーティクル阻止と性能のためのテスト方法 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C14-95 | 25cmガスフィルターカートリッジのパーティクル阻止と性能のためのテスト方法 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C15-95 | PPMおよびPPB水分標準のためのテスト方法 | 1995 | 1 | ガス |
| SEMI C15-95 | PPMおよびPPB水分標準のためのテスト方法 | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C15-95 | PPMおよびPPB水分標準のためのテスト方法 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C16-0697 | 正確な報告/データトレーサビリティガイド | 1997 | 1 | ガス |
| SEMI C16-0299 | 精度及びデータ報告作業方法のガイド | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI C16-0299 | 精度及びデータ報告作業方法のガイド | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C18-0301 | 酢酸の仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C19-0301 | アセトンの仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C20-0301 | フッ化アンモニウム40%溶液の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C21-0301 | 水酸化アンモニウムの仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C22-0699 | 三臭化ボロンのガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C23-0301 | バッファー酸腐食剤の仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C24-0301 | 酢酸n-ブチルの仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C25-0699E | ジクロロメタン(塩化メチレン)の仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C26-0699E | ヘキサメチルジシラザン(HMDS)の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C27-0301 | 塩酸の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C28-0301 | フッ化ケイ素酸の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C29-0301 | 4.9%フッ化ケイ素酸(10:1 V/V)の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C30-0301 | 過酸化水素の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C31-0301 | メタノールの仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C32-0699 | メチルエチルケトンの仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C33-0301 | N-メチル-2-ピロリドンの仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C34-0699 | 混合酸腐食剤の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C35-0301 | 硝酸の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C36-0301 | りん酸の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C37-0699 | りん腐食剤の仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C38-0699 | オキシ塩化りんのガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C39-0699 | 水酸化カリウム(固体)の仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C40-0699 | 水酸化カリウム,45%溶液の仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C41-0301A | 2-プロパノールの仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C42-0699 | 水酸化ナトリウム(固体)の仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C43-0699 | 水酸化ナトリウム50%溶液の仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C44-0301 | 硫酸の仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C45-0301 | テトラエトキシシラン(TEOS)ガイドラインと仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C46-0699 | 25%トラメチル水酸化アンモニウムのガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C47-0699 | トランス1,2ジクロロエチレンのガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C48-0699 | 1,1,1トリクロロエタン,ファーネスグレードの仕様とガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C49-0699E | トリメチルホウ酸のガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C50-0699 | トリメチルホスフィンのガイドライン | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C51-0699 | キシレン仕様 | 2001 | 1 | プロセスケミカル |
| SEMI C52-0301 | 特殊ガスの貯蔵寿命に関する仕様 | 2001 | 1 | ガス |
| SEMI D3-91 | FPD基板の有効範囲 | 1993 | 3 | FPD |
| SEMI D3-91 | FPD基板の有効範囲 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D3-91 | FPD基板の有効範囲 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D3-91 | FPD基板の有効範囲 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D4-91 | FPD基板バックプレートを基準とする方法 | 1993 | 3 | FPD |
| SEMI D4-94 | FPD基板を基準とする方法 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D4-94 | FPD基板を基準とする方法 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D4-94(撤回0600) | FPD基板を基準とする方法 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D5-92 | FPD基板の標準サイズ | 1993 | 3 | FPD |
| SEMI D5-94 | FPD基板の標準サイズ | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D5-94 | FPD基板の標準サイズ | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D5-94 | FPD基板の標準サイズ | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D6-92 | FPDマスク基板に対する標準サイズ及び厚み | 1993 | 3 | FPD |
| SEMI D6-92 | FPDマスク基板に対する標準サイズ及び厚み | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D6-1296 | FPDマスク基板に対する標準のエッジ長と厚み | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D6-0699 | FPDマスク基板のエッジ長と厚みの仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D7-94 | FPD用ガラス基板の表面粗さの測定方法 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D7-94 | FPD用ガラス基板の表面粗さの測定方法 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D7-94 | FPD用ガラス基板の表面粗さの測定方法 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D8-94 | FPD用ステッパーの重ね合わせ性能の仕様 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D8-94 | FPD用ステッパーの重ね合わさ性能の仕様 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D8-94 | FPD用ステッパーの重ね合わせ性能の仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D9-94 | FPD基板の定義 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D9-94 | FPD基板の定義 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D9-94 | FPD基板の定義 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D10-95 | FPD用ガラス基板の耐薬品性試験方法 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D10-95 | FPD用ガラス基板の耐薬品性試験方法 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D10-95 | FPD用ガラス基板の耐薬品性試験方法 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D11-95 | FPDガラス基板セットの仕様 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D11-95 | FPDガラス基板カセットの仕様 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D11-95 | FPDガラス基板カセットの仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D12-95 | FPD基板のエッジ状態のための仕様 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D12-95 | FPD基板のエッジ状態のための仕様 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D12-95 | FPD基板のエッジ状態の仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D13-95 | FPD用カラーフィルタ組立用の用語と定義 | 1995 | 5 | FPD |
| SEMI D13-95 | FPD用カラーフィルタ組立用の用語と定義 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D13-95 | FPD用カラーフィルタ組立用の用語と定義 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D14-96 | FPDステッパの画像フィールド・スティッチング容量の仕様 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D14-96 | FPDステッパの画像フィールド・スティッチング容量の仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D15-1296 | FPDガラス基板の表面うねりの測定方法 | 1997 | 5 | FPD |
| SEMI D15-1296 | FPDガラス基板の表面うねりの測定方法 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D16-0998 | FPDマテリアルハンドリングシステムとツールポート間の機械的インタフェース仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI D16-0998 | FPDマテリアルハンドリングシステムとツールポート間の機械的インタフェース仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D17-0200 | FPDガラス基板搬送用カセットの機械的仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D18-0299E | FPD基板水平搬送用および保管用カセット仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D19-0299E | FPD用カラーフィルタの耐薬品性試験方法 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D20-1000 | FPDマスク欠陥用語の定義 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D21-1000 | FPDマスク関連用語の定義 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D22-0999 | FPDカラーフィルタ色特性の測定方法 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D23-0999 | FPD製造装置のコスト(CEO)計算のガイド | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D24-0200 | FPD用ガラス基板の仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D25-0600 | FPDガラス基板輸送用梱包ケースの仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D26-1000 | FPD用大型マスクの暫定仕様(北米地区限定) | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI D27-1000 | FPD装置の通信インタフェースのガイド | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI D27-1000 | FPD装置の通信インタフェースのガイド | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI E1-86 | 3インチ,100mm,125mm,150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E1-86 | 3インチ,100mm,125mm,150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1-0697 | 3インチ,100mm,125mm,150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1-0697 | 3インチ,100mm,125mm,150mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.1-91 | 3インチプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E1.1-91 | 3インチプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.1-0697 | 3インチプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.1-0697 | 3インチプラスチック及びメタルウェーハキャリア(一般用) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.2-91 | 100mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E1.2-91 | 100mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.2-0697 | 100mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.2-0697 | 100mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア(一般用) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.3-91 | 125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E1.3-91 | 125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.3-0697 | 125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.3-0697 | 125mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア(一般用) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.4-86 | 125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(自動搬送用) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E1.4-86 | 125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(自動搬送用) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.4-0697 | 125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(自動搬送用) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.4-0697 | 125mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア(自動搬送用) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.5-91 | 150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E1.5-91 | 150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.5-91 | 150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.5-91(Reapproved0299) | 150mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア(一般用) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.7-94 | 200mmプラスチック及びメタルウェーハキャリヤ(一般用) (提案) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.7-94 | 200mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) (提案) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.9-94 | 300mmプラスチック及びメタルキャリア/自動搬送用途のための測定仕様 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.9-0697 | 300mmウエハの搬送および保管に使用されるウエハカセットの機械仕様(暫定仕様) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E1.9-0701 | 300mmウェーハ搬送及び保管用ウェーハカセットの機械仕様(仕様) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2-93 | 石英および高温用ウエハキャリヤ | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E2-93 | 石英および高温用ウエハキャリヤ | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2-93 | 石英および高温用ウエハキャリヤ | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2-93(Reapproved0299) | 石英及び高温用ウェーハキャリア | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.1-86 | 125mm,150mm石英および高温ウエハキャリヤ | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E2.1-86 | 125mm,150mm石英および高温ウエハキャリヤ | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.2-93 | 200mm石英および高温ウェハキャリヤ | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E2.2-93 | 200mm石英および高温ウェハキャリヤ | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.2-93 | 200mm石英および高温ウエハキャリヤ | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.2-93(Reapproved0299) | 200mm石英および高温ウェーハキャリア | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.3-93 | 100mm石英および高温ウェハキャリヤ | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E2.3-93 | 100mm石英および高温ウェハキャリヤ | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.3-93 | 100mm石英および高温ウエハキャリヤ | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.3-93(Reapproved0299) | 100mm石英および高温ウェーハキャリア | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.4-93 | 125mm石英および高温ウェハキャリヤ | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E2.4-93 | 125mm石英および高温ウェハキャリヤ | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.4-93 | 125mm石英および高温ウエハキャリヤ | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.4-93(Reapproved0299) | 125mm石英および高温ウェーハキャリア | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.5-93 | 150mm石英および高温ウェハキャリヤ | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E2.5-93 | 150mm石英および高温ウェハキャリヤ | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.5-93 | 150mm石英および高温ウエハキャリヤ | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E2.5-93(Reapproved0299) | 150mm石英および高温ウェーハキャリア | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E4-91 | 半導体製造装置スタンダード1 メッセージトランスファ(SECS-I) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E4-91 | 半導体製造装置通信スタンダード1 メッセージトランスファ(SECS-I) | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E4-91 | 半導体製造装置通信スタンダード1 メッセージトランスファ(SECS-I) | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E4-0699 | 半導体製造装置通信スタンダード1 メッセージトランスファ(SECS-Ⅰ) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E5-93 | 半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージj内容(SECS-II) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E5-95 | 半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージ内容(SECS-II) | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E5-1296 | 半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージ内容(SECS-II) | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E5-0701 | 半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージ内容(SECS-Ⅱ) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E6-92 | 設備インタフェース(ガイドラインとフォーマット) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E6-92 | 設備インタフェース(ガイドラインとフォーマット) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E6-1296 | 設備インターフェース(ガイドラインとフォーマット) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E6-1296 | 設備インタフェース(ガイドラインとフォーマット) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E7-91 | 電気的インタフェース(米国用) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E7-91 | 電気的インタフェース(米国用) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E7-91 | 電気的インタフェース(米国用) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E7-91(Reapproved0699) | 電気的インタフェース(米国用) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E8-92 | ウエハ搬送システム:インタフェースコーディネイト | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E8-92 | ウエハ搬送システム:インタフェースコーディネイト | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E8-92 | ウエハ搬送システム:インタフェースコーディネイト | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E8-92(撤回0698) | ウェーハ搬送システム:インタフェースコーディネイト | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E10-92 | 半導体製造装置の信頼性,有用性,整備性の定義と測定(ガイドライン) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E10-92 | 半導体製造装置の信頼性,有用性,整備性の定義と測定(ガイドライン) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E10-96 | 半導体製造装置の信頼性,有用性,整備性の定義と測定(スタンダード) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E10-0701 | 半導体製造装置の信頼性,有用性,整備性の定義と測定仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E11-91 | 125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ・アプリケーション(ガイドライン) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E11-91 | 125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ・アプリケーション(ガイドライン) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E11-0697 | 125mm,150mm,200mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ・アプリケーション(ガイドライン) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E11-0697 | 125mm,150mm,200mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア・アプリケーション(ガイドライン) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E12-91 | マスフローメータ及びマスフローコントローラに使用される流通単位のための標準圧力及び標準温度 | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E12-91 | マスフローメータ及びマスフローコントローラに使用される流量単位のための標準圧力及び標準温度 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E12-96 | マスフローメーターおよびマスフローコントローラに使用される標準の圧力,温度,密度,および流量単位(スタンダード) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E12-96 | マスフローメーターおよびマスフローコントローラに使用される標準の圧力,温度,密度,および流量単位(スタンダード) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E13-91 | 半導体製造装置通信スタンダード・メッセージサービス(SMS) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E13-91 | SEMI 半導体製造装置通信スタンダード・メッセージサービス(SMS) | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E13-91 | 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E14-93 | プロセス装置または補助用具から製品に付着する粒子汚染の測定 | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E14-93 | プロセス装置または補助用具から製品に付着する粒子汚染の測定 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E14-93 | プロセス装置または補助用具から製品に付着する粒子汚染の測定 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E14-93 | プロセス装置または補助用具から製品に付着するパーティクル汚染の測定 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E14-0997 | 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E15-91 | 装置間の材料搬送インタフェース | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E15-95 | 装置間の材料搬送インタフェース | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E15-96 | ツールロードポートの仕様 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E15-0698 | ツールロードポートの仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E15-92 | 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中のナトリウムとカリウムの測定 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E15.1-0697 | 300mmツールロードポートの仕様(暫定仕様) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E15.1-0600 | 300mm装置ロードポートのための仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E16-90 | マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E16-90 | マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E16-90 | マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E16-90(Reapproved0699) | マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E16-90(Reapproved 0699) | マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン) | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI E16-92 | 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中の錫の測定 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E17-91 | マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E17-91 | マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E17-91 | マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E17-0600 | マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E17-0600 | マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン) | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI E17-92 | 誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液における鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E18-91 | マスフローコントローラの温度スペック(ガイドライン) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E18-91 | マスフローコントローラの温度スペック(ガイドライン) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E18-91 | マスフローコントローラの温度スペック(ガイドライン) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E18-91(Reapproved0299) | マスフローコントローラの温度スペック(ガイドライン) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E18-92 | ウェーハステッパーのオーバーレイ能力 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E19-91 | 標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E19-91 | 標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19-0697 | 標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19-0697 | 標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19-92 | 集積回路製造用メトロロジパターンセル | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E19.1-91 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用100mmポート | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E19.1-91 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用100mmポート | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.1-0697 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用100mmポート | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.1-0697 | ウェーハカセット搬送のメカニカルインタフェース用100mmポート | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.2-91 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用125mmポート | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E19.2-91 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用125mmポート | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.2-0697 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用125mmポート | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.2-0697 | ウェーハカセット搬送のメカニカルインタフェース用125mmポート | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.3-91 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用150mmポート | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E19.3-91 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用150mmポート | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.3-0697 | ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用150mmポート | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.3-0697 | ウェーハカセット搬送のメカニカルインタフェース用150mmポート | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.4-92 | 200mm標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E19.4-94 | 200mm標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.4-94 | 200mm標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.4-0998 | 200mm標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.5-0996 | 300mmボトムオープニングの標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E19.5-0996 | 300mmボトムオープニングの標準メカニカルインタフェース(SMIF) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E20-91 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:電源および緊急停止 | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E20-91 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:電源および緊急停止 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E20-0697 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:電源および緊急停止 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E20-0697 | クラスタツール・モジュール・インタフェース:電源および緊急停止 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E20-92 | EBレジストパラメータのカタログ公表(ガイドライン) | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E21-91 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:メカニカル・インタフェースおよびウエハ搬送 | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E21-94 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:メカニカル・インタフェースおよびウエハ搬送 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E21-94 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:メカニカルインタフェースおよびウエハ搬送 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E21-94(Reapproved0699) | クラスタツール・モジュール・インタフェース:メカニカル・インタフェースおよびウェーハ搬送 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E21-92 | マスク描写装置の精度表示(ガイドライン) | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E21.1-92 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:300mmメカニカルインタフェースおよびウエハ搬送 | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E21.1-92 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:300mmメカニカルインタフェースおよびウエハ搬送 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E21.1-1296 | クラスターツール・モジュール・インターフェース:300mmメカニカルインタフェースおよびウエハ搬送 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E21.1-1296 | クラスタツール・モジュール・インタフェース:300mmメカニカルインタフェースおよびウェーハ搬送 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E22-91 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E22-91 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E22-0697 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E22-0697 | クラスタツール・モジュール・インタフェース:搬送モジュール・エンドエフェクタ・排除領域 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E22-0699 | フォトマスク欠陥の分類とサイズ定義についてのガイドライン | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E22.1-92 | クラスターツール・モジュールインタフェース:300mm搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E22.1-92 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:300mm搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E22.1-1296 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:300mm搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E22.1-1296 | クラスタツール・モジュール・インタフェース:300mm搬送モジュール・エンドエフェクタ・排除領域 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E23-91 | カセット搬送パラレルI/Oインタフェース仕様 | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E23-91 | カセット搬送パラレルI/Oインタフェース仕様 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E23-96 | カセット搬送パラレルI/Oインタフェース仕様 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E23-96 | カセット搬送パラレルI/Oインタフェース仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E23-0200 | プログラム欠陥マスク及びマスク欠陥検査システムの感度分析ベンチマーク手順についてのガイドライン | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E24-92 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:絶縁バルブインターロック | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E24-92 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:絶縁バルブインターロック | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E24-92 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:隔離バルブインターロック | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E24-92(Reapproved0699) | クラスタツール・モジュール・インタフェース:隔離バルブインターロック | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E24-94 | CD測長手順 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E25-92 | クラスターツール・モジュールインタフェース:モジュールアクセス(ガイドライン) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E25-92 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:モジュールアクセス(ガイドライン) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E25-92 | クラスターツール・モジュール・インタフェース:モジュールアクセス(ガイドライン) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E25-92(Reapproved0699) | クラスタツール・モジュール・インタフェース:モジュールアクセス(ガイドライン) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E25-94 | 焦点深度および最適焦点深度(仕様) | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E26-92 | 放射状クラスターツール・フットプリント | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E26-92 | 放射状クラスターツール・フットプリント | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E26-92 | 放射状クラスターツール・フットプリント | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E26-92(Reapproved0699) | 放射状クラスタツール・フットプリント | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E26-96 | フォトレジストの感度測定用パラメータチェックリスト | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E26.1-92 | 放射状クラスターツール・300mmフットプリント | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E26.1-92 | 放射状クラスターツール・300mmフットプリント | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E26.1-92 | 放射状クラスターツール・300mmフットプリント | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E26.1-92(Reapproved0699) | 放射状クラスタツール・300mmフットプリント | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E27-92 | マスフローコントローラ及びマスフローメータの直線性 | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E27-92 | マスフローコントローラ及びマスフローメータの直線性 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E27-92 | マスフローコントローラ及びマスフローメータの直線性 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E27-92(Reapproved0299) | マスフローコントローラ及びマスフローメータの直線性 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E27-96 | 基板上のレジスト膜厚の測定用パラメータチェックリスト | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E28-92 | マスフローコントローラの圧力スペック(ガイドライン) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E28-92 | マスフローコントローラの圧力スペック(ガイドライン) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E28-92 | マスフローコントローラの圧力スペック(ガイドライン) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E28-92(Reapproved0299) | マスフローコントローラの圧力スペック(ガイドライン) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E28-96 | 集積回路製造用オーバーレイ計測テストパターン | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E29-93 | マスフローコントローラ及びマスフローメーターの校正のための標準用語 | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E29-93 | マスフローコントローラ及びマスフローメーターの校正のための標準用語 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E29-93 | マスフローコントローラ及びマスフローメーターの校正のための標準用語 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E29-93(Reapproved0299) | マスフローコントローラおよびマスフローメータの校正のための標準用語 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E29-0997 | ハーフトーン/減衰位相シフトマスク及びマスクブランク特有特性記述のためのガイドライン | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E30-93 | SEMI製造装置の通信及びコントロールのための包括的モデル(GEM) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E30-95 | SEMI 製造装置の通信及びコントロールのための包括的モデル(GEM) | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E30-1296 | SEMI 製造装置の通信及びコントロールのための包括的モデル(GEM) | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E30-1000 | SEMI 製造装置の通信及びコントロールのための包括的モデル(GEM) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E30-0997 | 寸法測定用走査型電子顕微鏡(CD-SEM)の目録発行の実施要項 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E30.1-0200 | 検査および評価特定装置モデル(ISEM) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E30.2-0698 | ハンドラー装置の特定装置モデル(HSEM) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E30.3-0698 | テスト装置の特定装置モデル(TSEM) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E30.5-0701 | 計測装置の特定装置モデル | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E31-93 | 電気的インタフェース(日本用) | 1993 | 2 | 製造装置 |
| SEMI E31-93 | 電気的インターフェース(日本用) | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E31-93 | 電気的インタフェース(日本用) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E31-93 | 電気的インタフェース(日本用) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E31-0997 | 化学増幅型(CA)フォトレジストパラメータのカタログ発行の実施要領 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E32-94 | 材料搬送管理スタンダード(MMM) | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E32-0697 | 材料搬送管理スタンダード(MMM) | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E32-0997 | 材料搬送管理スタンダード(MMM) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E32-0998 | フォトレジスト中のトレースメタル定量のための試験方法 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E32.1-94 | 材料搬送のためのSECS-II実施 | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E32.1-1296 | 材料搬送へのSECS-IIのサポート | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E32.1-0997 | 材料搬送へのSECE-Ⅱのサポート | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E33-94 | 半導体製造設備の電磁適合性のための仕様 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E33-94 | 半導体製造設備の電磁適合性のための仕様 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E33-94 | 半導体製造設備の電磁適合性のための仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E33-0998 | 現像用230mm正方形硬質表面フォトマスク基板のための仮仕様書 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E34-95 | マスフローデバイス返還のためのガイドライン | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E34-95 | マスフローデバイス返還のためのガイドライン | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E34-95 | マスフローデバイス返還のためのガイドライン | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E34-0200 | 230mm方形フォトマスク基板の仕様 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E35-95 | 半導体製造装置測定方法のためのCOO | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E35-95A | 半導体製造装置のCOO測定方法 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E35-0701 | 半導体製造装置のCCO測定方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E35-0200E | マイクロリソグラフィメトロロジの用語法 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E35.1-95 | 装置のCOO比較測定法のためのガイド | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E35.1-95 | 装置のCOO比較測定法のためのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E35.1-95 | 装置のCOO比較測定法のためのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E36-95 | 電子文書交換のための仕様 | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E36-95 | 電子文書交換のための仕様 | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E36-0699 | 半導体装置製造情報タグ付け仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E36-0600 | 測長走査型電子顕微鏡(CD-SEM)用倍率標準試料のガイドライン | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E37-95 | 高速SECSメッセージサービス(HSMS)汎用サービス | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E37-95 | 高速SECSメッセージサービス(HSMS)汎用サービス | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E37-0298 | 高速SECSメッセージサービス(HSMS)汎用サービス | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E37.1-95 | 高速SECSメッセージサービス シングルセッションモード(HSMS-SS) | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E37.1-96 | 高速SECSメッセージサービス シングルセッションモード(HSMS-SS) | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E37.1-96E | 高速SECSメッセージサービス シングルセッションモード(HSMS-SS) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E37.2-95 | 高速SECSメッセージサービス ジェネラルセッション(HSMS-GS) | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E37.2-95 | 高速SECSメッセージサービス ジェネラルセッション(HSMS-GS) | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E37.2-95 | 高速SECSメッセージサービス ジェネラルセッション(HSMS-GS) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E38-95 | クラスタツールモジュール通信(CTMC) | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E38-1296 | クラスタツールモジュール通信(CTMC) | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E38-1296 | クラスタツールモジュール通信(CTMC) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E38.1-95 | クラスタツールモジュール内の通信環境/HSMSセッションを使用するSECS-IIメッセージ | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E38.1-95 | クラスターツールモジュール内の通信環境/HSMSセッションを使用するSECS-IIメッセージ | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E38.1-95 | クラスタツールモジュール内の通信環境/HSMSセッションを利用するSECS-IIメッセージ | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E39-95 | オブジェクトサービススタンダードコンセプト/ビヘイビア/サービス | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E39-0697 | オブジェクトサービススタンダード:コンセプト,挙動,およびサービス | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E39-0600 | オブジェクトサービス・スタンダード:概念,挙動,およびサービス | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E39.1-95 | オブジェクトサービススタンダード(OSS)用SECS-IIプロトコル | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E39.1-1296 | オブジェクトサービススタンダード(OSS)のためのSECS-IIプロトコル | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E39.1-1296 | オブジェクトサービススタンダード(OSS)のためのSECS-Ⅱプロトコル | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E40-95 | プロセス管理規格 | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E40-96 | プロセス管理スタンダード | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E40-0701 | プロセス管理スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E40.1-0996 | プロセス管理スタンダードへのSECS-IIのサポート | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E40.1-0701 | プロセス管理スタンダードへのSECS-Ⅱのサポート | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E41-95 | 例外処理スタンダード | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E41-95 | 例外処理スタンダード | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E41-95 | 例外処理スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E41.1-0996 | 例外処理スタンダードへのSECS-IIのサポート | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E41.1-0996 | 例外処理スタンダードへのSECS-Ⅱのサポート | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E42-95 | レシピ管理スタンダード:コンセプト,ビヘイビア,およびメッセージサービス | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E42-0697 | レシピ管理スタンダード:コンセプト,挙動,およびメッセージサービス | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E42-0299E | レシピ管理スタンダード:コンセプト,挙動,およびメッセージサービス | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E42.1-0996 | レシピ管理スタンダード(RMS)のためのSECS-IIプロトコルスタンダード | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E42.1-0997 | レシピ管理スタンダード(RMS)のためのSECS-Ⅱプロトコル スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E43-95 | 物体および表面の静電気測定のための推奨方法 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E43-95 | 物体および表面の静電気測定のための推奨方法 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E43-0301 | オブジェクト及び表面上の静電気の電荷を測定するためのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E44-95 | ミニエンバイロメントの調達および受入のためのガイド | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E44-96 | ミニエンバイロメントの調達および受入のためのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E44-96(撤回0301) | ミイエンバイロメントの調達および受入のためのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E45-95 | ミニエンバイロメントからの無機汚染の分析のためのテスト方法 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E45-95 | ミニエンバイロメントからの無機汚染の分析のためのテスト方法 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E45-0301 | VPD-TXRFおよびVPD-AASを使用したミニエンバイロメントからの無機汚染分析のためのテスト方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E46-95 | ミニエンバイロメントからの有機汚染のための仕様 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E46-95 | ミニエンバイロメントからの有機汚染のための仕様 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E46-0301 | イオン移動度分光計を使用したミニエンバイロメントからの有機汚染分析の仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E47-95 | 150mm/200mm用ポッドハンドルのための仕様 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E47-95 | 150mm/200mm用ポッドハンドルのための仕様 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E47-0301 | 150mm/200mm用ポッドハンドルのための仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E47.1-0697 | 300mmウエハの搬送および保管に使用されるボックスとポッドの機械仕様(暫定仕様) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E47.1-0701 | 300mmウェーハ搬送および保管のために使用されるボックス/ポッドの暫定機械仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E48-95 | SMIFインデクサー用空間のための仕様 | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E48-95 | SMIFインデクサー用空間のための仕様 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E48-0701 | SMIFインデクサ用空間のための仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49-95 | 半導体製造装置のための高純度配管システムおよび最終組立のための基準性能,手法,およびサブアセンブリのためのガイド | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49-95 | 半導体製造装置のための高純度配管システムおよび最終組立のための基準性能,手法,およびサブアセンブリのためのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49-95 | 半導体製造装置のための高純度配管システムおよび最終組立のための基準性能,手法,およびサブアセンブリのためのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.1-95 | ツールの最終組立,梱包および発送のためのガイド | 1995 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.1-95 | ツールの最終組立,梱包および発送のためのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.1-95 | ツールの最終組立,梱包および発送のためのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.2-95 | 半導体製造装置における高純度脱イオン水および薬液供給システムのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.2-0298 | 半導体製造装置における高純度脱イオン水および薬液供給システムのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.3-95 | 半導体製造装置における脱イオン超純水および薬液供給システムのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.3-0298 | 半導体製造装置における脱イオン超純水および薬液供給システムのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.4-95 | 半導体製造装置における高純度溶剤供給システムのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.4-0298 | 半導体製造装置における高純度溶剤供給システムのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.5-95 | 半導体製造装置における超高純度溶剤供給システムのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.5-0298 | 半導体製造装置における超高純度溶剤供給システムのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.6-95 | サブシステムアセンブリおよびテストプロシージャのガイド-ステンレススチール | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.6-95 | サブシステムアセンブリおよびテストプロシージャのガイド-ステンレススチール | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.7-95 | サブシステムアセンブリおよびテストプロシージャのガイド-ポリマーシステム | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.7-95 | サブシステムアセンブリおよびテストプロシージャのガイド-ポリマーシステム | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.8-96 | 半導体製造装置における高純度ガス供給システムのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.8-0298 | 半導体製造装置における高純度ガス供給システムのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.9-96 | 半導体製造装置における超高純度ガス供給システムのガイド | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E49.9-0298 | 半導体製造装置における超高純度ガス供給システムのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E50-95 | センサ/アクチュエータネットワーク用統合型SMIFインデクサ・アプリケーションモデル | 1995 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E50-95 | センサ/アクチュエータネットワーク用統合型SMIFインデクサ・アプリケーションモデル | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E51-95 | 典型的な施設サービスおよび末端のマトリックス | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E51-0200 | 一般的設備サービスおよび終端マトリクスのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E51-0200 | 一般的設備サービスおよび終端マトリクスのガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI E52-95 | デジタルマスフローコントローラで使用されているガス参照表 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E52-1000 | デジタルマスフローコントローラで使用されるガス参照表 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E53-1296 | イベントレポート | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E53-1296 | イベントレポート | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E53.1-1296 | イベントレポートスタンダードへのSECS-IIのサポート | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E53.1-1296 | イベントレポートスタンダードへのSECS-Ⅱのサポート | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54-1296 | センサー/アクチュエータネットワーク共通デバイスモデルスタンダード | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E54-0997 | センサ/アクチュエータネットワークスタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.1-1000 | センサ/アクチュエータネットワーク共通デバイスモデル スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.10-0600 | in-situパーティクルモニターデバイスのためのセンサ/アクチュエータネットワーク特定デバイスモデル仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.11-0301 | エンドポイントデバイスのための特定デバイスモデル | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.12-0701 | CC-LINKのためのセンサ/アクチュエータ・ネットワーク通信に関するスタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.2-0698 | センサ/アクチュエータネット枠(SAN)スタンダードバロットを書くためのガイド | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.3-0698 | マスフローデバイスのためのセンサ/アクチュエータネットワーク(SAN)独自のデバイスモデルのためのスタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.4-0997 | DeviceNet用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.5-0997 | Smart Distributed System(SDS)用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.6-0997 | LONWORKS用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.7-0999 | SERIPLEX用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.8-0999 | PROFIBUS-DPのためのセンサ/アクチュエータ・ネットワーク通信に関するスタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E54.9-1000 | TCP/IPでのMODBUS/TCPのためのセンサ/アクチュエータ・ネットワーク通信に関する仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E56-1296 | 熱マスフローコントローラーの精度,直線性,リピータビリティ,短期再現性,ヒステリシス(履歴現象)およびデッドバンドを判断するテスト方法 | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E56-1296 | 熱マスフローコントローラの精度,直線性,リピータビリティ,短期再現性,ヒステリシス(履歴現象)およびデッドハンドを判断するテスト方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E57-1296 | 300mmウエハキャリアの位置決めおよび支持のために使用されるキネマティックカップリングの機械仕様(暫定仕様) | 1997 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E57-0600 | 300mmウェーハキャリアの位置決めおよび支持のために使用されるキネマティックカップリングの機械仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E58-0697 | 自動化による信頼性,有用性,および整備性に関するスタンダード(ARAMS):コンセプト,挙動,およびサービス | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E58-0301 | 自動化による信頼性,有用性,および整備性に関するスタンダード(ARAMS):コンセプト,挙動,およびサービス | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E58.1-0697 | 自動化による信頼性,有用性,および整備性に関するスタンダード(ARAMS):コンセプト,挙動,およびサービスのためのSECS-IIプロトコル | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E59-0697 | DeviceNet用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E60-0697 | スマート分散システム(SDS)用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E61-0697 | LONWORKS用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード | 1997 | 2 | 製造装置(ソフトウェア) |
| SEMI E62-0701 | 300mm(FIMS)フロント・オープニング・メカニカルインタフェースの暫定仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E63-0600A | 300mmボックス・オープナ/ローダーと装置間の機械的スタンダード(BOLTS-M)インタフェース仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E64-0600 | SEMI E15.1 300mmドッキング・ポートとカートとのインタフェース仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E66-0997 | マスフローコントローラのパーティクル発生測定のテスト方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E67-0997 | マスフローコントローラの信頼性測定のためのテスト方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E68-0997 | マスフローコントローラのウォームアップ時間測定のためのテスト方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E69-0298 | サーマルマスフローコントローラの再現性とゼロドリフトを測定するためのテスト方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E70-0698 | ツール・アコモデーションのプロセスに対するガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E72-0600 | 300mm装置の床面積,高さ,および重量の仕様ならびにガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E73-0301 | 真空ポンプのインタフェースの仕様-ドライポンプ | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E74-0301 | 真空ポンプのインタフェースの仕様-ターボモレキュラーポンプ | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E75-0698(撤回0301) | 300mmウェーハの搬送および保管に使用されるボックス/ポッド対応装置で使用可能なウェーハカセットの機械仕様(暫定仕様) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E76-0299 | 300mmプロセス装置を設備サービスに接続するポイントのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E76-0299 | 300mmプロセス装置を設備サービスに接続するポイントのガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI E77-0998 | マスフローコントローラの換算率の代用ガス使用による計算方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E78-0998 | 静電気的な適合性-装置のための静電気放電(ESD)と静電気吸引(ESA)の評価と制御へのガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E79-0200 | 装置生産性の定義と測定に関するスタンダード | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E80-0299 | マスフローコントローラの姿勢感度(取付位置)決定の試験方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E80-0299 | マスフローコントローラの姿勢感度(取付位置)決定の試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI E81-0600 | CIMフレームワークドメインアーキテクチャに関する暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E82-0701 | 工程間/工程内AMHS SEM仕様(IBSEM) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E83-1000 | 300mm PGV メカニカルドッキングフランジのための仕様書 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E84-0701 | エンハンストキャリア移載パラレルI/Oインタフェースの仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E84-0701 | エンハンストキャリア移載パラレルI/Oインタフェースの仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E85-0600 | ベイ間搬送システム用AMHSストッカーの共用性に関する暫定仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E86-0200 | CIMフレームワークファクトリー従業員コンポーネントに関する暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E87-0701 | キャリア管理のための暫定仕様(CMS) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E87.1-0701 | キャリアマネジメント(CMS)のためのSECS-Ⅱプロトコルに対する暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E88-0701 | AMHS貯蔵SEM(ストッカーSEM)仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E89-0999 | 測定システム能力分析に関するガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E90-0701 | 基板トラッキング仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E90.1-0701 | SECS-Ⅱプロトコ-ル基盤トラッキングのための暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E91-0600 | プローバ独自の装置モデルに関する仕様(PSEM) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E92-0200E | 軽量小型の300mmボックスオープナ/ローダーとツールの互換スタンダード(BOLTS/Light)(暫定) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E93-0200 | CIMフレームワーク・アドバンスド・プロセス・コントロール・コンポーネントのための暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E94-0701 | コントロールジョブマネジメントの暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E95-0200 | 半導体製造装置ヒューマインタフェースに関する仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E96-0200 | CIMフレームワークテクニカルアーキテクチャに関するガイド案 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E97-0200A | CIMフレームワークグローバル宣言および抽象インタフェースに関する暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E98-0701 | オブジェクトベース装置モデル(OBEM)暫定スタンダード | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E99-1000E | キャリアIDリーダー/ライター機能スタンダード:コンセプト,挙動,およびサービスに関する仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E99-1000E | キャリアIDリーダ/ライタ機能スタンダード:コンセプト,挙動,およびサービスに関する仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E99.1-0600 | キャリアIDリーダー/ライター機能規格のためのSECS-Ⅰ及びSECS-Ⅱプロトコール仕様書 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E99.1-0600 | キャリアIDリーダ/ライタ機能規格のためのSECS-Ⅰ及びSECS-Ⅱプロトコール仕様書 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E100-0200 | 6インチまたは230mmのレチクルの搬送および保管に用いられるレチクルSMIFポッド(RSP) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E100-0200 | 6インチまたは230mmのレチクルの搬送および保管に用いられるレチクルSMIFポッド(RSP) | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI E101-1000 | EFEM機能構造モデルの暫定的ガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E102-0600 | CIMフレームワークマテリアル搬送・格納コンポーネントに関する暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E103-1000 | FOUPをエミュレートする300mm枚葉ウェーハボックスシステム用暫定機械仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E104-0301 | 低圧パーティクル・モニタ校正のガイドラインおよび装置組み込みのための仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E105-0701 | CIMフレームワークスケジューリングコンポーネントのための暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E106-0301 | 300mm物理的インタフェース及びキャリアに関するSEMIスタンダード暫定オーバービューガイド | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E107-0301 | 歩留まり管理システムに電気的不良データを渡すためのデータフォーマットの暫定仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI E108-0301 | ガスクロマトグラフィ/質量分析法を使用したミニエンバイロメントからの有機汚染放出ガスを評価するための試験方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI E109-0701 | レクチルおよびポッド管理に関する暫定仕様(RPMS) | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI F1-90 | 有毒ガス配管システムの漏洩完全防止 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F1-90 | 有毒ガス配管システムの漏洩完全防止 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F1-96 | 高純度ガス配管系及び部品の漏れ完全性仕様 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F1-96 | 高純度ガス配管系及び部品の漏れ完全性仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F2-90 | 半導体製造用の継ぎ目のないオーステナイト系ステンレススチール管材 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F2-94 | 一般目的の半導体製造アプリケーションに対する316Lステンレススチール管材(仕様) | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F2-94 | 一般目的の半導体製造アプリケーションに対する316Lステンレススチール管材(仕様) | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F2-94 | 一般目的の半導体製造アプリケーションに対する316Lステンレススチール管材(仕様) | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F3-90 | 半導体製造に使用するステンレススチール管の溶接(ガイドライン) | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F3-94 | 半導体製造に使用するステンレススチール管の溶接に関するガイド | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F3-94 | 半導体製造に使用するステンレススチール管の溶接に関するガイド | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F3-94 | 半導体製造に使用するステンレススチール管の溶接に関するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F4-90 | 遠隔駆動シリンダーバルブ(ガイドライン) | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F4-90 | 遠隔駆動シリンダーバルブ(ガイドライン) | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F4-90 | 遠隔駆動シリンダーバルブ(ガイドライン) | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F4-1000 | 空気圧動作シリンダバルブの仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F5-90 | ガス状廃棄物処理(ガイドライン) | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F5-90 | ガス状廃棄物処理(ガイドライン) | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F5-90 | ガス状廃棄物処理(ガイドライン) | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F5-90 | ガス状廃棄物処理のガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F6-92 | 危険ガス配管システムの二次封じ込め(ガイドライン) | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F6-92 | 危険ガス配管システムの二次封じ込め(ガイドライン) | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F6-92 | 危険ガス配管システムの二次封じ込め(ガイドライン) | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F6-92 | 危険ガス配管システムの二次封じ込め(ガイドライン) | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F7-92 | フロロカーボン製チューブフィッティング接合部の引張り強さを測定するテスト方法 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F7-92 | フロロカーボン製チューブフィッティング接合部の引張り強さを測定するテスト方法 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F7-92 | フロロカーボン製チューブフィッティング接合部の引張り強さを測定するテスト方法 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F7-92(Reapproved0299) | フロロカーボン製チューブフィッティング接合部の引張り強さを測定するテスト方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F8-92 | 引張り力を受けた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部のシール能力を評価するテスト方法 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F8-92 | 引張り力を受けた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部のシール能力を評価するテスト方法 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F8-92 | 引張り力を受けた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部のシール能力を評価するテスト方法 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F8-0998 | 引張り力を受けた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部のシール能力を評価する試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F9-92 | サイドロード状態に置かれた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部の漏洩特性を測定するテスト方法 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F9-92 | サイドロード状態に置かれた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部の漏洩特性を測定するテスト方法 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F9-92 | サイドロード状態に置かれた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部の漏洩特性を測定するテスト方法 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F9-0998 | サイドロード状態に置かれた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部の漏洩特性を測定する試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F10-93 | ふっ素樹脂製チューブフィッティングに損傷を生じさせるに必要な内部圧力を決定するためのテスト方法 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F10-93 | ふっ素樹脂製チューブフィッティングに損傷を生じさせるに必要な内部圧力を決定するためのテスト方法 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F10-93 | ふっ素樹脂製チューブフィッティングに損傷を生じさせるのに必要な内部圧力を決定するためのテスト方法 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F10-0698 | フッ素樹脂製チューブフィッティングに損傷を生じさせるのに必要な内部圧力を決定するためのテスト方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F11-93 | ふっ素樹脂製チューブフィッティングの熱的特性指標を得るためのテスト方法 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F11-93 | ふっ素樹脂製チューブフィッティングの熱的特性指標を得るためのテスト方法 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F11-93 | ふっ素樹脂製チューブフィッティング熱的特性指標を得るためのテスト方法 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F11-0998 | フッ素樹脂製チューブフィッティングの熱的特性指標を得るための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F12-93 | フッ素樹脂製フィッティングの熱サイクル負荷後のシール性能決定の試験方法 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F12-93 | フッ素樹脂製フィッティングの熱サイクル負荷後のシール性能決定の試験方法 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F12-93 | フッ素樹脂製フィッティングの熱サイクル負荷後のシール性能決定の試験方法 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F12-0998 | フッ素樹脂製フィッティングの熱サイクル負荷後のシール性能決定の試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F13-93 | ガス供給制御装置のための指針 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F13-93 | ガス供給制御装置のための指針 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F13-93 | ガス供給制御装置のための指針 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F13-93 | ガス供給制御装置のためのガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F14-93 | ガス供給装置筐体の設計指針 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F14-93 | ガス供給装置筐体の設計指針 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F14-93 | ガス供給装置筐体の設計指針 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F14-93(Reapproved0699) | ガス供給装置筐体の設計ガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F15-93 | 六フッ化硫黄のトレーサーガスとガスクロマトグラフを使う筐体(囲い込み構造体)の試験方法 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI F15-93 | 六ふっ化硫黄のトレーサーガスとガスクロマトグラフを使う筐体(囲い込み構造体)の試験方法 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F15-93 | 六ふっ化硫黄のトレーサーガスとガスクロマトグラフを使う筐体(囲い込み構造体)の試験方法 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F15-93(Reapproved0699) | 六フッ化硫黄のトレーサガスとガスクロマトグラフを使う筐体(囲い込み構造体)の試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F16-94 | 高純度半導体製造用途の316Lステンレス鋼配管の表面仕上げと電解研磨に関する仕様 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F16-94 | 高純度半導体製造用途の316Lステンレス鋼配管の表面仕上げと電解研磨に関する仕様 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F16-94 | 高純度半導体製造用途の316Lステンレス鋼配管の表面仕上げと電解研磨に関する仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F17-95 | 高純度品質電解研磨した316Lステンレス鋼チューブ,コンポーネントチューブスタブ,及びチューブから製造した継手の仕様 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F17-95 | 高純度品質電解研磨した316Lステンレス鋼チューブ,コンポーネントチューブスタブ,及びチューブから製造した継手の仕様 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F17-95 | 高純度品質電解研磨した316Lステンレス鋼チューブ,コンポーネントチューブスタブ,及びチューブから製造した継手の仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F18-95 | 熱可塑性パイプ及びチューブの耐水圧強度と設計ベースを決定するためのガイド | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F18-95 | 熱可塑性パイプ及びチューブの耐水圧強度と設計ベースを決定するためのガイド | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F18-95 | 熱可塑性パイプ及びチューブの耐水圧強度と設計ベースを決定するためのガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F19-95 | 化学的に研磨した316Lステンレススチール部品の最終記述 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F19-95 | 化学的に研磨した316Lステンレススチール部品の最終記述 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F19-95 | 電解研磨した316Lステンレススチール部品の最終記述 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F20-95 | 高純度半導体製造アプリケーションで使用されるコンポーネント用の316Lステンレススチールバー,押し出し成形品,およびプレート(仕様) | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F20-95 | 高純度半導体製造アプリケーションで使用されるコンポーネント用の316Lステンレススチールバー,押し出し成形品,およびプレート(仕様) | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F20-0997 | 高純度半導体製造アプリケーションで使用されるコンポーネント用の316Lステンレススチールバー,押し出し成形品,プレート,およびインベストメント鋳造品の仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F21-95 | 清浄な環境における空気を媒体とする分子汚染レベルの分類 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F21-95 | 清潔な環境における空気を媒体とする分子汚染レベルの分類 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F22-0697 | ガス供給システムガイド | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F22-0697 | ガス供給システムガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F23-0697 | グレード10/0.2引火性特殊ガスの粒子に関する仕様 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F23-0697 | グレード10/0.2引火性特殊ガスの粒子に関する仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F24-0697 | グレード10/0.2不活性特殊ガスの粒子に関する仕様 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F24-0697 | グレード10/0.2不活性特殊ガスの粒子に関する仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F25-0697 | グレード10/0.2酸化体特殊ガスの粒子に関する仕様 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F25-0697 | グレード10/0.2酸化体特殊ガスの粒子に関する仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F26-0697 | グレード10/0.2有機特殊ガスの粒子に関する仕様 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI F26-0697 | グレード10/0.2有毒特殊ガスの粒子に関する仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F27-0997 | ガス配分システム及び部品の水分相互作用及び含有量の大気圧電離質量分析(APIMS)による,テスト方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F28-0997 | プロセスパネルからのパーティクル発生を測定するテスト方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F29-0997 | ガスソースシステムパネルのパージ効果のテスト方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F30-0298 | 据付現場における微量ガス不純物及びパーティクルに関する精製器性能テストの始動及び検証 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F31-0698 | バルク化学薬品配分システムのガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F32-0998 | 高純度遮断バルブの容量係数を求めるための試験方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI F32-0998 | 高純度遮断バルブの容量係数を求めるための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F33-0998 | 気圧イオン化質量分析計(APIMS)の校正方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F34-0998 | 液体化学薬品配管ラベリングに関するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F35-0998 | 非浸入式酸素測定を使用した超高純度ガス分配システムの安全性を確認するための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F36-0299 | ガス分配部品の寸法と接続に関するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F37-0299 | ガス供給システム構成部品の表面粗さパラメータの算出方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F38-0699 | ユースポイントガスフィルタの効率資格付けを目的とした試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F39-0699 | 化学薬品混合システムに関するガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F40-0699 | 化学試験のための薬液分配部品の準備についての作業方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F41-0699 | 半導体プロセスで使用されるバルク化学薬品分配システムの検定に関するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F42-0600 | 半導体プロセス装置の電圧サグに対する感受率の試験方法 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI F42-0600 | 半導体プロセス装置の電圧サグに対する感受率の試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F43-0699 | ユースポイント精製器によるパーティクル寄与度を定量するための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F44-0699 | 機械加工されたステンレス鋼製溶接継手の標準化に関するガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F45-0699 | 機械加工されたステンレス鋼製異径溶接継手の標準化に関するガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F46-0999 | 現場化学薬品調製(OSCG)システムに関するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F47-0200 | 半導体プロセス装置電圧サグイミュニティのための仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI F47-0200 | 半導体プロセス装置電圧サグイミュニティのための仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F48-0600 | 高分子材料中の微量金属を検出するための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F49-0200 | 半導体工場システムの電圧サグイミュニティに関するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F50-0200 | 半導体工場の電気ユーティリティ電圧サグ性能に関するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F51-0200 | エラストメトリックシーリング技術に関するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F52-0600 | 半導体及び液晶製造の薬液供給システム用メトリックPFAチューブの寸法仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F53-0600 | サーマル・マスフローコントローラの電磁感受性評価の試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F54-1000 | 凝縮核カウンタの計数効率を測定するための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F55-0600 | マスフローコントローラの耐腐食性を求めるための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F56-0600 | マスフローコントローラの定常供給電圧の影響を測定するための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F57-0301 | 超純粋及び液体化学薬品配分システム内に使用するポリマー製部品の暫定仕様 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F58-1000 | 大気圧イオン化質量分析計(APIMS)による表面実装及び一般的ガス配分システムの水分ドライダウン特性測定のためのテスト方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F59-1000 | ガス供給システム部品のフィルタ流圧力損失曲線決定のための試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F60-0301 | 不動態化した316Lステンレス・スチール部品の接ガス表面の組成をESCAにより評価する試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F61-0301 | 半導体プロセスに使用する超純水システムに対するガイド | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F62-0701 | 周囲及びガス温度の影響からマスフローコントローラ性能特性を決定する試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F63-0701 | 半導体処理に使用する超純水に対するガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI F64-0701 | マスフローコントローラの指示及び実流量に対する圧力影響を測定する試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI G1-85 | 仕様 Cer-DIPパッケージのベース及びキャップ | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G1-85 | 仕様 Cer-DIPパッケージのベース及びキャップ | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G1-96 | 仕様 Cer-DIP パッケージ構造 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G1-96 | 仕様 Cer-DIPパッケージ構造 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G2-87 | 仕様 Cer-DIPパッケージ用金属リードフレーム | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G2-94 | CER-DIPパッケージ用金属リードフレームの仕様 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G2-94 | CER-DIP パッケージ用金属リードフレームの仕様 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G2-94 | CER-DIPパッケージ用金属リードフレームの仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G3-90 | 仕様 側面ろう付け積層板 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G3-90 | 仕様 側面ろう付け積層板 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G3-90 | 仕様 側面ろう付け積層板 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G3-90 | 仕様 側面ろう付け積層板 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G4-89 | 仕様 スタンピングによるIC用リードフレーム素材 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G4-94 | スタンピングリードフレーム製品で使用されるICリードフレーム材料の仕様 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G4-94 | スタンピングリードフレーム製品で使用されるICリードフレーム材料の仕様 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G4-94 | スタンピングリードフレーム製品で使用されるICリードフレーム材料の仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G5-87 | 仕様 セラミックチップキャリア(CCC) | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G5-87 | 仕様 セラミックチップキャリア(CCC) | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G5-87 | 仕様 セラミックチップキャリア(CCC) | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G5-87 | 仕様 セラミックチップキャリア(CCC) | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G6-89 | 検査方法 封止リング平坦度 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G6-89 | 検査方法 封止リング平坦度 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G6-89 | 検査方法 封止リング平坦度 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G6-89 | 検査方法 封止リング平坦度 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G8-83 | 検査方法 金めっきの品質 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G8-94 | 試験方法 金めっき | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G8-94 | 試験方法 金めっき | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G8-94 | 試験方法 金めっき | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G9-89 | 仕様 スタンピングによる半導体プラスチックDIPパッケージ用リードフレーム | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G9-89 | 仕様 スタンピングによる半導体プラスチックDIPパッケージ用リードフレーム | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G9-89 | 仕様 スタンピングによる半導体プラスチックDIPパッケージ用リードフレーム | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G9-89 | 仕様 スタンピングによる半導体プラスチックDIPパッケージ用リードフレーム | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G10-86 | 標準測定方法 プラスチックパッケージリードフレームの機械的測定方法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G10-86 | 標準測定方法 プラスチックパッケージリードフレームの機械的測定方法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G10-96 | 標準測定方法 プラスチックパッケージリードフレームの機械的測定方法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G10-96 | 標準測定方法 プラスチックパッケージリードフレームの機械的測定方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G11-88 | 測定方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間及びスパイラルフローの測定 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G11-88 | 測定方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間及びスパイラルフローの測定 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G11-88 | 測定方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間及びスパイラルフローの測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G11-88 | 測定方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間及びスパイラルフローの測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G12-82 | 測定方法 電子デバイスに使用される樹脂材のイオン物質の水抽出法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G12-82 | 測定方法 電子デバイスに使用される樹脂材のイオン物質の水抽出法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G13-88 | 標準測定方法 モールディングコンパウンドの膨張特性 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G13-88 | 標準測定方法 モールディングコンパウンドの膨張特性 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G13-88 | 標準測定方法 モールディングコンパウンドの膨張特性 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G13-88 | 標準測定方法 モールディングコンパウンドの膨張特性 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G14-88 | ガイドライン 工具製造用プラスチックモールドDIPパッケージの寸法及び公差 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G14-88 | ガイドライン 工具製造用プラスチックモールドDIPパッケージの寸法及び公差 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G14-88 | ガイドライン 工具製造用プラスチックモールドDIPパッケージの寸法及び公差 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G14-88 | ガイドライン 工具製造用プラスチックモールドDIPパッケージの寸法及び公差 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G15-93 | 試験方法 モールディングコンパウンド示差走査熱量分析 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G15-93 | 試験方法 モールディングコンパウンド示差走査熱量分析 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G15-93 | 試験方法 モールディングコンパウンド示差走査熱量分析 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G15-93 | 試験方法 モールディングコンパウンド示差走査熱量分析 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G16-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールドPLCCパッケージの工具の寸法及び公差 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G16-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールドPLCCパッケージの工具の寸法及び公差 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G16-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールドPLCCパッケージの工具の寸法及び公差 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G16-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールドPLCCパッケージの工具の寸法及び公差 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G18-86 | 仕様 エッチングリードフレームの製造に使用する集積回路用リードフレーム材料 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G18-86 | 仕様 エッチングリードフレームの製造に使用する集積回路用リードフレーム材料 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G18-96 | スタンダード エッチングリードフレームの製造に使用する集積回路用リードフレーム材料 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G18-96 | スタンダード エッチングリードフレームの製造に使用する集積回路用リードフレーム材料 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G19-84 | 仕様 エッチングにより製造されるDIPリードフレーム | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G19-84 | 仕様 エッチングにより製造されるDIPリードフレーム | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G19-84 | 仕様 エッチングにより製造されるDIPリードフレーム | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G19-0997 | 仕様 エッチングにより製造されるDIPリードフレーム | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G20-84 | 仕様 樹脂材パッケージのリード仕上げ(能動デバイス用) | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G20-84 | 仕様 樹脂材パッケージのリード仕上げ(能動デバイス用) | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G20-96 | 仕様 樹脂材パッケージのリード仕上げ(能動デバイス用) | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G20-96 | 仕様 樹脂材パッケージのリード仕上げ(能動デバイス用) | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G21-84 | 仕様 ICリードフレームのめっき | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G21-94 | ICリードフレームのめっきの仕様 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G21-94 | ICリードフレームのめっきの仕様 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G21-94 | ICリードフレームのめっきの仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G22-86 | 仕様 セラミックピングリッドアレイ(PGA)パッケージ | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G22-86 | 仕様 セラミックピングリッドアレイ(PGA)パッケージ | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G22-1296 | 仕様 セラミックピングリッドアレイ(PGA)パッケージ | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G22-1296 | 仕様 セラミックピングリッドアレイ(PGA)パッケージ | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G23-89 | 試験方法 パッケージリードのインダクタンスの測定法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G23-89 | 試験方法 パッケージリードのインダクタンスの測定法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G23-0996 | 試験方法 半導体パッケージの内部導体路のインダクタンス | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G23-0996 | 試験方法 半導体パッケージの内部導体路のインダクタンス | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G24-89 | 試験方法 パッケージ・リード間の要領及び付加容量の測定法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G24-89 | 試験方法 パッケージ・リード間の容量及び付加容量の測定法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G24-89 | 試験方法 パッケージ・リード間の容量及び付加容量の測定法 * | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G24-89 | 試験方法 パッケージ・リード間の容量及び付加容量の測定法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G25-89 | 試験方法 パッケージ・リード抵抗の測定法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G25-89 | 試験方法 パッケージ・リード抵抗の測定法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G25-89 | 試験方法 パッケージ・リード抵抗の測定法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G25-89 | 試験方法 パッケージ・リード抵抗の測定法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G26-90 | 仕様 機密性SLAMチップキャリヤの蓋 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G26-90 | 仕様 気密性SLAMチップキャリヤの蓋 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G26-90 | 仕様 気密性SLAMチップキャリヤの蓋 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G26-90 | 仕様 気密性SLAMチップキャリヤの蓋 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G27-89 | 仕様 プラスチックリードチップキャリヤ(PLCC)パッケージ用リードフレーム | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G27-89 | 仕様 プラスチックリードチップキャリア(PLCC)パッケージ用リードフレーム | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G27-89 | 仕様 プラスチックリードチップキャリア(PLCC)パッケージ用リードフレーム | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G27-89 | 仕様 プラスチックリードチップキャリア(PLCC)パッケージ用リードフレーム | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G28-86 | 仕様 プラスチックモールドSOパッケージのリードフレーム | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G28-86 | 仕様 プラスチックモールドSOパッケージのリードフレーム | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G28-86 | 仕様 プラスチックモールドSOパッケージのリードフレーム | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G28-0997 | プラスチックモールドS.O..パッケージのリードフレームのための仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G29-86 | 試験方法 モールディングコンパウンド中の微量異物検査法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G29-86 | 試験方法 モールディングコンパウンド中の微量異物検査法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G29-1296 | 試験方法 モールディングコンパウンド中の微量異物検査法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G29-1296 | 試験方法 モールディングコンパウンド中の微量異物検査法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G30-88 | 試験方法 セラミックパッケージのジャンクションとケース間の熱抵抗測定法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G30-88 | 試験方法 セラミックパッケージのジャンクションとケース間の熱抵抗測定法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G30-88 | 試験方法 セラミックパッケージのジャンクションとケース間の熱抵抗測定法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G30-88 | 試験方法 セラミックパッケージのジャンクションとケース間の熱抵抗測定法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G31-86 | 試験法 モールディングコンパウンドの研磨特性の測定法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G31-86 | 試験法 モールディングコンパウンドの研摩特性の測定法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G31-86 | 試験法 モールディングコンパウンドの研摩特性の測定法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G31-0997 | モールディングコンパウンドの磨耗特性を測定するためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G32-86 | ガイドライン カプセルなし熱抵抗測定用チップ | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G32-94 | カプセルなし熱抵抗測定用チップのガイドライン | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G32-94 | カプセルなし熱抵抗測定用チップのガイドライン | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G32-94 | カプセルなし熱抵抗測定用チップのガイドライン | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G33-90 | 仕様 プレスセラミックピングリッドアレイ(CPGA)パッケージ | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G33-90 | 仕様 プレスセラミックピングリッドアレイ(CPGA)パッケージ | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G33-90 | 仕様 プレスセラミックピングリッドアレイ(CPGA)パッケージ | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G33-90 | 仕様 プレスセラミックピングリッドアレイ(CPGA)パッケージ | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G34-89 | 仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含んだCER-PACKパッケージ構造 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G34-89 | 仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含んだCER-PACKパッケージ構造 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G34-89 | 仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含んだCER-PACKパッケージ構造 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G34-89 | 仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含んだCER-PACKパッケージ構造 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G35-87 | 仕様 半導体(能動)デバイスのリード仕上げに関する検査方法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G35-87 | 仕様 半導体(能動)デバイスのリード仕上げに関する検査方法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G35-87 | 仕様 半導体(能動)デバイスのリード仕上げに関する検査方法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G35-87 | 仕様 半導体(能動)デバイスのリード仕上げに関する検査方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G36-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールド高密度TABパッケージの寸法及び公差 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G36-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールド高密度TABパッケージの寸法及び公差 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G36-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールド高密度TABパッケージの寸法及び公差 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G36-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールド高密度TABパッケージの寸法及び公差 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G37-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールドSOPパッケージの寸法及び公差 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G37-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールドSOPパッケージの寸法及び公差 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G37-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールドSOPパッケージの寸法及び公差 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G37-88 | 仕様 工具製造用プラスチックモールドSOPパッケージの寸法及び公差 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G38-87 | 試験方法 静止空気および強制風冷によるICパッケージのジャンクション部周囲間の熱抵抗測定法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G38-87 | 試験方法 静止空気および強制風冷によるICパッケージのジャンクション部周囲間の熱抵抗測定法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G38-0996 | 試験方法 静止空気および強制風冷によるICパッケージのジャンクション部周囲間の熱抵抗測定法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G38-0996 | 試験方法 静止空気および強制風冷によるICパッケージのジャンクション部周囲間の熱抵抗測定法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G39-89 | 仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含むろう付けリード･フラットパッケージ構造 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G39-89 | 仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含むろう付けリード・フラットパッケージ構造 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G39-89 | 仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含むろう付けリード・フラットパッケージ構造 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G39-89 | 仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含むろう付けリード・フラットパッケージ構造 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G41-87 | 仕様 デュアルストリップSOIC用リードフレーム | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G41-87 | 仕様 デュアルストリップSOIC用リードフレーム | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G41-87 | 仕様 デュアルストリップSOIC用リードフレーム | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G41-87 | 仕様 デュアルストリップSOIC用リードフレーム | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G42-88 | 仕様 半導体パッケージのジャンクションと周囲間熱抵抗測定用熱試験基板の標準 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G42-88 | 仕様 半導体パッケージのジャンクションと周囲間熱抵抗測定用熱試験基板の標準 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G42-0996 | 仕様 半導体パッケージのジャンクション部と周囲間の熱抵抗測定用熱試験基板 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G42-0996 | 仕様 半導体パッケージのジャンクション部と周囲間の熱抵抗測定用熱試験基板 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G43-87 | 仕様 プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G43-87 | 仕様 プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G43-87 | 仕様 プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G43-87 | 仕様 プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G44-87 | 仕様 ガラス/メタル封止・セラミックパッケージのリード仕上げ(能動デバイスのみ) | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G44-94 | ガラス/メタル封止セラミックパッケージ(能動デバイスのみ)リード仕上げの仕様 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G44-94 | ガラス/メタル封止セラミックパッケージ(能動デバイスのみ)リード仕上げの仕様 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G44-94 | ガラス/メタル封止セラミックパッケージ(能動デバイスのみ)リード仕上げの仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G45-93 | 試験方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのフラッシュ特性 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G45-93 | 試験方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのフラッシュ特性 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G45-93 | 試験方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのフラッシュ特性 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G45-93 | 試験方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのフラッシュ特性 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G46-88 | 試験方法 集積回路素子取付け評価用熱過渡試験 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G46-88 | 試験方法 集積回路素子取付け評価用熱過渡試験 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G46-88 | 試験方法 集積回路素子取付け評価用熱過渡試験 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G46-88 | 試験方法 集積回路素子取付け評価用熱過渡試験 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G47-88 | 仕様 プラスチックモールドクァッドフラットパックリードフレーム | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G47-88 | 仕様 プラスチックモールドクァッドフラットパックリードフレーム | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G47-88 | 仕様 プラスチックモールドクァッドフラットパックリードフレーム | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G47-88 | 仕様 プラスチックモールドクァッドフラットパックリードフレーム | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G48-89 | 仕様 モールドプラスチックパッケージ製造工具用測定方法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G48-89 | 仕様 モールドプラスチックパッケージ製造工具用測定方法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G48-89 | 仕様 モールドプラスチックパッケージ製造工具用測定方法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G48-89 | 仕様 モールドプラスチックパッケージ製造工具用測定方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G49-93 | 仕様 モールディングコンパウンドのタブレット | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G49-93 | 仕様 モールディングコンパウンドのタブレット | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G49-93 | 仕様 モールディングコンパウンドのタブレット | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G49-93 | 仕様 モールディングコンパウンドのタブレット | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G50-89 | 仕様 Co-firedセラミック・ファインピッチキャリヤー・パッケージの構造(リードおよびリードレス) | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G50-89 | 仕様 Co-firedセラミック・ファインピッチキャリヤ-・パッケージの構造(リードおよびリードレス) | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G50-89 | 仕様 Co-firedセラミック・ファインピッチキャリヤー・パッケージの構造(リードおよびリードレス) | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G50-89 | 仕様 Co-firedセラミック・ファインピッチキャリヤー・パッケージの構造(リードおよびリードレス) | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G51-90 | 仕様 プラスチックモールド・クアッドフラットパック・リードフレーム | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G51-90 | 仕様 プラスチックモールド・クァッドフラットパック・リードフレーム | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G51-90 | 仕様 プラスチックモールド・クアッドフラットパック・リードフレーム | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G51-90 | 仕様 プラスチックモールド・クアッドフラットパック・リードフレーム | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G52-90 | 標準試験方法(案) 半導体リードフレームのイオン汚染物の測定 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G52-90 | 標準試験方法(案) 半導体リードフレームのイオン汚染物の測定 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G52-90 | 標準試験方法(案) 半導体リードフレームのイオン汚染物の測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G52-90 | 標準試験方法(案) 半導体リードフレームのイオン汚染物の測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G53-92 | 仕様 金属リッド・プリフォームアセンブリー | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G53-92 | 仕様 金属リッド・プリフォームアセンブリー | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G53-92 | 仕様 金属リッド・プリフォームアセンブリー | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G53-92 | 仕様 金属リッド・プリフォームアセンブリー | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G54-93 | 仕様 樹脂封止パッケージ製造用の寸法及び公差 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G54-93 | 仕様 樹脂封止パッケージ製造用の寸法及び公差 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G54-93 | 仕様 樹脂封止パッケージ製造用の寸法及び公差 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G54-93 | 仕様 樹脂封止パッケージ製造用の寸法及び公差 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G55-93 | 試験方法 リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G55-93 | 試験方法 リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G55-93 | 試験方法 リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G55-93 | 試験方法 リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G56-93 | 試験方法 リードフレーム銀めっき厚さの測定方法 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G56-93 | 試験方法 リードフレーム銀めっき厚さの測定方法 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G56-93 | 試験方法 リードフレーム銀めっき厚さの測定方法 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G56-93 | 試験方法 リードフレーム銀めっき厚さの測定方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G57-93 | ガイドライン リードフレーム各部名称の標準 | 1993 | 3 | パッケージング |
| SEMI G57-93 | ガイドライン リードフレーム各部名称の標準 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G57-93 | ガイドライン リードフレーム各部名称の標準 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G57-93 | ガイドライン リードフレーム各部名称の標準 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G58-94 | CERQUADパッケージ構造の仕様 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G58-94 | CERQUADパッケージ構造の仕様 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G58-94 | CERQUADパッケージ構造の仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G59-94 | 試験方法:リードフレーム挿間紙上のイオン汚染物および挿間紙からリードフレームに移る汚染物の測定 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G59-94 | 試験方法:リードフレーム挿間紙上のイオン汚染物および挿間紙からリードフレームに移る汚染物の測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G59-94 | 試験方法 リードフレーム挿間紙上のイオン汚染物および挿間紙からリードフレームに移る汚染物の測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G60-94 | 試験方法:半導体リードフレーム挿間紙材料の静電特性の測定 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G60-94 | 試験方法:半導体リードフレーム挿間紙材料の静電特性の測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G60-94 | 試験方法 半導体リードフレーム挿間紙材料の静電特性の測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G61-94 | 焼成セラミックパッケージの仕様 | 1995 | 4 | パッケージング |
| SEMI G61-94 | 焼成セラミックパッケージの仕様 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G61-94 | 焼成セラミックパッケージの仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G62-95 | 試験方法 銀めっき | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G62-95 | 試験方法 銀めっき | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G63-95 | 試験方法 ダイ剪断強度の測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G63-95 | 試験方法 ダイ剪段強度の測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G64-96 | 仕様 全面めっきIC用リードフレーム(金,銀,銅,ニッケル,パラジウム/ニッケル,及びパラジウム) | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G64-96 | 仕様 全面めっきIC用リードフレーム(金,銀,銅,ニッケル,パラジウム/ニッケル,及びパラジウム) | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G65-96 | 試験方法 Lリード(ガルウイング型)パッケージ用リードフレーム材料の評価 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G65-96 | 試験方法 Lリード(ガルウイング型)パッケージ用リードフレーム材料の評価 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G66-96 | 試験方法 半導体用プラスチックモールディングコンパウンドの吸湿特性の測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G66-96 | 試験方法 半導体用プラスチックモールディングコンパウンドの吸湿特性の測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G67-0996 | 試験方法 シート材料から発生する粒子の測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G67-0996 | 試験方法 シート材料から発生する粒子の測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G68-0996 | 試験方法 空気環境における半導体パッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G68-0996 | 試験方法 空気環境における半導体パッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G69-0996 | 試験方法 リードフレームとモールディングコンパウンド間の接着強度の測定 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G69-0996 | 試験方法 リードフレームとモールディングコンパウンド間の接着強度の測定 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G70-0996 | プラスチックパッケージリードフレーム測定用装置とリードフレーム支持具スタンダード | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G70-0996 | プラスチックパッケージリードフレーム測定用装置とリードフレーム支持具スタンダード | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G71-0996 | パッケージング材料の中間容器のバーコードマーキング仕様 | 1997 | 4 | パッケージング |
| SEMI G71-0996 | パッケージング材料の中間容器のバーコードマーキング仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G71-0996 | パッケージング材料の中間容器のバーコードマーキング仕様 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI G72-0997 | ボールグリッドアレイ設計ライブラリのための仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G72.1-0997 | ボールグリッドアレイ設計ライブラリのための設計提案:292ピンプラスチックボールグリッドアレイ | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G72.2-0997 | ボールグリッドアレイ設計ライブラリのための設計提案:388ピンプラスチックボールグリッドアレイ | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G73-0997 | ワイヤボンディングに関するプル強度のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G74-0699 | 300mmウェーハに関するテープフレームのための仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75-0698 | リードフレームテープの諸性質の標準的なテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.1-0698 | リードフレームテープにおけるイオン不純物の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.10-0698 | リードフレームテープの体積及び表面抵抗率の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.11-0698 | リードフレームテープの誘電率及び誘電正接の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.12-0698 | リードフレームテープの絶縁破壊強度の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.13-0698 | リードフレームテープにおける漏れ電流の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.2-0698 | リードフレームテープの接着強度の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.3-0698 | リードフレームテープ上の保護フィルムの剥離強度の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.4-0698 | リードフレームテープの吸収率の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.5-0698 | リードフレームテープの加熱重量減少率の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.6-0698 | リードフレームテープの加熱収縮率の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.7-0698 | リードフレームテープ及び接着剤の熱分解温度の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.8-0698 | リードフレームテープの熱膨張係数及びガラス転移温度の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G75.9-0698 | リードフレームテープの引張り強度,伸び,及び引張弾性率の測定のためのテスト方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G76-0299 | TCP用ポリイミド接着テープの仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G77-0699 | 300mmウェーハ用フレームカセットの仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G78-0699 | プロセス特定測定を利用する自動ウェーハプローブシステム比較試験法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G79-0200 | 総合的デジタルタイミング精度の仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G80-0200 | 自動試験装置の総合的デジタルタイミング精度を分析するための試験方法 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G81-1000 | マップデータ・アイテムの仕様 | 2001 | 製造装置(ソフトウェア) | |
| SEMI G81-1000 | マップデータ・アイテムの仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G82-0301 | 後行程におけるフレームカセット用300mmロードポート暫定仕様 | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI G82-0301 | 後工程におけるフレームカセット用300mmロードポート暫定仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G83-0301 | 製品パッケージのバーコードマーキング仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI G83-0301 | 製品パッケージのバーコードマーキング仕様 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI M1-93 | 仕様 鏡面単結晶シリコンウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1-95 | 鏡面単結晶シリコンの仕様 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1-1296 | 鏡面単結晶シリコンウエハの仕様 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1-0701E | 鏡面単結晶シリコーンウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.1-89 | 2インチ鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.1-89 | 2インチ鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.1-89 | 2インチ鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.1-89(Reapproved0299) | 2インチ鏡面単結晶シリコンウェハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.2-89 | 3インチ研磨単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.2-89 | 3インチ研磨単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.2-89 | 3インチ研磨単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.2-89(Reapproved0299) | 3インチ研磨単結晶シリコンウェハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.5-89 | 100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.5-89 | 100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.5-89 | 100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.5-89(Reapproved0699) | 100mm鏡面単結晶シリコンウェハ(厚み525μm)(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.6-89 | 100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.6-89 | 100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.6-89 | 100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.6-89(Reapproved0699) | 100mm鏡面単結晶シリコンウェハ(厚み625μm)(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.7-89 | 125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.7-89 | 125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.7-89 | 125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.7-89(Reapproved0699) | 125mm鏡面単結晶シリコンウェハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.8-89 | 150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.8-89 | 150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.8-89 | 150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.8-0699 | 150mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.9-91 | 200mm研磨単結晶シリコンウエハ(ノッチ付) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.9-91 | 200mm研磨単結晶シリコンウエハ(ノッチ付) (スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.9-91 | 200mm研磨単結晶シリコンウエハ(ノッチ付) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.9-0699 | 200mm研磨単結晶シリコンウェハ(ノッチ付)(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.10-92 | 200mm鏡面単結晶シリコンウエハ(オリフラ) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.10-92 | 200mm鏡面単結晶シリコンウエハ(オリフラ) (スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.10-92 | 200mm鏡面単結晶シリコンウエハ(オリフラ) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.10-0699 | 200mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(オリフラ)(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.11-90 | 第2オリフラのない100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.11-90 | 第2オリフラのない100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.11-90 | 第2オリフラのない100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.11-90(Reapproved0299) | セカンダリオリフラのない100mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(厚み525μm)(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.12-90 | 第2オリフラのない125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.12-90 | 第2オリフラのない125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.12-90 | 第2オリフラのない125mm鏡面単結晶シリコンウエハ (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.12-90(Reapproved0299) | セカンダリオリフラのない125mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.13-90 | 第2オリフラのない150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.13-90 | 第2オリフラのない150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.13-90 | 第2オリフラのない150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.13-0699 | セカンダリオリフラのない150mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(厚み625μm)(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.14-92 | 300mm鏡面単結晶シリコンウエハ(ノッチ付き) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M1.14-95 | 300～400mm鏡面単結晶シリコンウエハのガイドライン | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.14-96 | 350mmおよび400mm鏡面単結晶シリコンウエハのガイドライン | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M1.14-96 | 350mmおよび400mm鏡面単結晶シリコンウェーハのガイドライン | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M1.15-1000 | 300mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(ノッチ) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M2-93 | 仕様 シリコン･エピタキシャル･ウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M2-94 | シリコン・エピタキシャル・ウエハの仕様 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M2-1296 | シリコンエピタキシャルウエハの仕様 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M2-0997 | シリコンエピタキシャルウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M3-91 | 単結晶サファイア基板(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3-91 | 単結晶サファイア基板(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M3-1296 | 単結晶サファイア基板(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M3-1296 | 単結晶サファイア基板(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M3.1-83 | 1.5インチ サファイア基板(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3.2-91 | 2インチ サファイア基板(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3.2-91 | 2インチ サファイア基板(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.2-91 | 2インチ サファイア基板(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.2-91 | 2インチ サファイア基板(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M3.3-83 | 2.25インチ サファイア基板(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3.4-91 | 3インチ サファイア基板(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3.4-91 | 3インチ サファイア基板(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.4-91 | 3インチ サファイア基板(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.4-91 | 3インチ サファイア基板(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M3.5-92 | 100mm サファイア基板(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3.5-92 | 100mm サファイア基板(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.5-92 | 100mm サファイア基板(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.5-92 | 100mm サファイア基板(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M3.6-88 | 3インチ 再生サファイア基板(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3.6-88 | 3インチ 再生サファイア基板(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.6-88 | 3インチ 再生サファイア基板(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.6-88 | 3インチ 再生サファイア基板(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M3.7-91 | 125mm サファイア基板(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3.7-91 | 125mm サファイア基板(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.7-91 | 125mm サファイア基板(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.7-91 | 125mm サファイア基板(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M3.8-91 | 150mm サファイア基板(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M3.8-91 | 150mm サファイア基板(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.8-91 | 150mm サファイア基板(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M3.8-91 | 150mm サファイア基板(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M4-88 | SOSエピタキシャル・ウエハ(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M4-88 | SOSエピタキシャル・ウエハ(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M4-1296 | SOSエピタキシャルウエハ(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M4-1296 | SOSエピタキシャルウェーハ(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M6-85 | 太陽電池用シリコンウエハ(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M6-85 | 太陽電池用シリコンウエハ(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M6-85 | 太陽電池用シリコンウエハ(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M6-1000 | 太陽光電池用シリコンウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M6.1-85 | 100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(四角) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M6.1-85 | 100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(四角) (スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.1-85 | 100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(四角) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.2-85 | 3インチ多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M6.2-85 | 3インチ多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.2-85 | 3インチ多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.3-85 | 100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M6.3-85 | 100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.3-85 | 100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.4-85 | 125mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M6.4-85 | 125mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.4-85 | 125mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.5-85 | 150mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M6.5-85 | 150mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M6.5-85 | 150mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M7-82 | 鏡面単結晶ガドリニウム・ガリウム ガーネットウエハ(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M7-82 | 鏡面単結晶ガドリニウム・ガリウム ガーネットウエハ(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M7.1-82 | 2インチ研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M7.1-82 | 2インチ研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M7.2-82 | 3インチ研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M7.2-82 | 3インチ研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M7.3-82 | 100mm研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(厚み510μm) (スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M7.3-82 | 100mm研磨単結晶ガドリニウム・・ガリウム・ガーネットスライス(厚み510μm) (スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8-84 | 仕様 鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8-93 | 仕様 鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8-1296 | 仕様 鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8-0301 | 鏡面単結晶シリコンテストウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M8.1-93 | 標準 2インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.1-93 | 標準 2インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.1-93 | 2インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.2-93 | 標準 3インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.2-93 | 標準 3インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.2-93 | 3インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.3-93 | 標準 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.3-93 | 標準 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.3-93 | 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.4-93 | 標準 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.4-93 | 標準 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.4-93 | 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.5-93 | 標準 125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.5-93 | 標準 125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.5-93 | 125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.6-93 | 標準 150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.6-93 | 標準 150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.6-93 | 150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.7-93 | 標準 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(ノッチ付き) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.7-93 | 標準 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(ノッチ付き) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.7-93 | 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(ノッチ付き) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.8-93 | 標準 第2オリフラ無し100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.8-93 | 標準 第2オリフラ無し100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.8-93 | 第2オリフラ無し100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.9-93 | 標準 第2オリフラ無し125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.9-93 | 標準 第2オリフラ無し125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.9-93 | 第2オリフラ無し125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.10-93 | 標準 第2オリフラ無し150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.10-93 | 標準 第2オリフラ無し150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.10-93 | 第2オリフラ無し150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.11-93 | 標準 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(オリフラ付き) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M8.11-93 | 標準 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(オリフラ付き) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.11-93 | 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(オリフラ付き) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M8.12-0996 | 300mm鏡面単結晶シリコンテストウエハとモニタウエハ(ノッチ付き) (スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9-90 | 鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M9-95 | 鏡面単結晶ガリウム砒素スライスの仕様 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M9-1296 | 鏡面単結晶ガリウム砒素スライスの仕様 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9-0999 | 鏡面単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M9.1-89 | IC回路用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M9.1-89 | IC回路用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.1-96 | 電子デバイス用直径50.8mm円形鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.1-96 | 電子デバイス用直径50.8mm円形鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M9.2-89 | IC回路用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M9.2-89 | IC回路用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.2-96 | 電子デバイス用直径76.2mm円形鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.2-96 | 電子デバイス用直径76.2mm円形鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M9.3-89 | オプトエレクトリック用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M9.3-89 | オプトエレクトリック用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.3-89 | オプトエレクトリック用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.3-89 | オプトエレクトリック用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M9.4-89 | 集積回路用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M9.4-89 | オプトエレクトリック用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.4-89 | オプトエレクトリック用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.4-89 | オプトエレクトリック用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M9.5-90 | 集積回路用円形直径100mm鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M9.5-90 | 集積回路用円形直径100mm鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.5-96 | 電子デバイス用直径100mm円形鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.5-96 | 電子デバイス用直径100mm円形鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M9.6-95 | 円形125mm径鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハの規格 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.6-95 | 円形125mm径鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハの規格 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.6-95 | 円形125mm径鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハの規格 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M9.7-95 | 円形150mm径鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハの規格 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.7-95 | 円形150mm径鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハの規格 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M9.7-0200 | 円形150mm径単結晶鏡面ガリウムヒ素ウェーハ(V字型ノッチ付き)の仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M10-89 | ガリウム砒素ウエハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称 | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M10-89 | ガリウム砒素ウエハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M10-1296 | ガリウム砒素ウエハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M10-1296 | ガリウムヒ素ウェーハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M11-93 | 仕様 最新技術に応用するシリコンエピタキシャルウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M11-95 | 最新技術に応用するシリコンエピタキシャルウエハの仕様 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M11-0697 | 集積回路(IC)に応用するシリコンエピタキシャルウエハの仕様 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M11-0301 | 集積回路(IC)用のシリコンエピタキシャルウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M12-92 | ウエハ表面の連続英数字マーキング(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M12-92 | ウエハ表面の連続英数字マーキング(仕様) | 1993 | 3 | トレーサビリティ |
| SEMI M12-92 | ウエハ表面の連続英数字マーキング(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M12-92 | ウエハ表面の連続英数字なマーキング(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M12-0998E | ウェーハ表面の連続英数字マーキング(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M12-0998E | ウェーハ表面の連続英数字マーキング(仕様) | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI M13-88 | シリコンウエハの英数字マーキング(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M13-88 | シリコンウエハの英数字マーキング | 1993 | 3 | トレーサビリティ |
| SEMI M13-88 | シリコンウエハの英数字マーキング(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M13-88 | シリコンウエハの英数字のマーキング(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M13-0998E | シリコンウェーハの英数字のマーキング(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M13-0998E | シリコンウェーハの英数字のマーキング(仕様) | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI M14-89 | 半導絶縁ガリウム砒素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M14-89 | 半導絶縁ガリウム砒素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M14-89 | 半絶縁ガリウム砒素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M14-89 | 半絶縁ガリウムヒ素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M15-89 | 鏡面ガリウム砒素ウエハ用の鏡面ウエハ欠陥限度表 | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M15-89 | 鏡面ガリウム砒素ウエハ用の鏡面ウエハ欠陥限度表 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M15-89 | 鏡面ガリウム砒素ウエハ用の鏡面ウエハ欠陥限度表 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M15-0298 | 半絶縁ガリウムヒ素ウェーハ用の鏡面ウェーハの許容表面欠陥表 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M16-89 | 多結晶シリコン(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M16-89 | 多結晶シリコン(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M16-1296 | 多結晶シリコン(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M16-1296 | 多結晶シリコン(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M16.1-89 | ナゲット型多結晶シリコン | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M16.1-89 | ナゲット型多結晶シリコン | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M16.1-89 | ナゲット型多結晶シリコン | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M16.1-89 | ナゲット型多結晶シリコン | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M17-90 | 一般的なウエハグリッド | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M17-90 | 一般的なウエハグリッド | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M17-90 | 一般的なウエハグリッド | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M17-0998 | 一般的なウェーハグリッド | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M18-93 | フォーマット 注文書記入用シリコンウエハ仕様様式 | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M18-95 | 注文書記入用シリコンウエハ仕様様式のフォーマット | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M18-96 | 注文書記入用シリコンウエハ仕様様式のフォーマット | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M18-0701 | 注文書記入用シリコンウェーハ仕様様式のフォーマット | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M19-91 | バルク・ガリウム砒素単結晶基板の電気的性質(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M19-91 | バルク・ガリウム砒素単結晶基板の電気的性質(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M19-91 | バルク・ガリウム砒素単結晶基板の電気的性質(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M19-91 | バルク・ガリウムヒ素単結晶基板の電気的性質(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M20-92 | ウエハ座標システムの確立(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M20-92 | ウエハ座標システムの確立(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M20-92 | ウエハ座標システムの確立(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M20-0998 | ウェーハ座標システムの確立(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M21-92 | カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレス(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M21-92 | カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレス(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M21-92 | カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレス(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M21-0998 | カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレス(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M22-92 | 誘電体により絶縁された(DI)ウエハ(仕様) | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M22-92 | 誘電体により絶縁された(DI)ウエハ(仕様) | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M22-1296 | 誘電体により絶縁された(DI)ウエハ(仕様) | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M22-1296 | 誘電体により絶縁された(DI)ウェーハ(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M23-93 | 仕様 鏡面単結晶インジウムウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M23-93 | 仕様 鏡面単結晶燐化インジウムウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M23-1296 | 仕様 鏡面単結晶燐化インジウムウエハ | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M23-1000 | 鏡面単結晶燐化インジウムリンウェーハ(仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M23.1-93 | 標準 2インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M23.1-93 | 標準 2インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M23.1-93 | 標準 2インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M23.1-0600 | 50mm鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M23.2-93 | 標準 3インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ | 1993 | 1 | 材料 |
| SEMI M23.2-93 | 標準 3インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M23.2-93 | 標準 3インチ鏡面単結晶隣化インジウムウエハ | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M23.2-1000 | 3インチ(76.2mm)鏡面単結晶燐化インジウムウェーハのスタンダード | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M23.3-94 | 長方形鏡面単結晶インジウムリンウエハの規格 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M23.3-94 | 長方形鏡面単結晶インジウムリンウエハの規格 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M23.3-0600 | 長方形鏡面単結晶インジウムリンウェーハの規格 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M23.4-0999 | 電子デバイスならびにオプトエレクトロニクス用途100mm径鏡面単結晶インジウムリンウェーハ仕様(ドーブテイルタイプ) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M23.5-1000 | 電子デバイスならびにオプトエレクトロニクス用途100mm径鏡面単結晶インジウムリンウェーハ仕様(V-GROOVEオプション) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M24-94 | 鏡面単結晶プレミアムシリコンウエハの仕様 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M24-1296 | 鏡面単結晶プレミアムシリコンウエハの仕様 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M24-0301E | 鏡面単結晶プレミアムシリコンウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M25-95 | ポリスチレンラテックス球の径についてのライトポイントデフェクトウエハ検査システム校正用シリコンウエハの仕様 | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M25-95 | ポリスチレンラテックス球の径についてのライトポイントデフェクトウエハ検査システム校正用シリコンウエハの仕様 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M25-95 | ポリスチレンラテックス球の径についてのライトポイントデフェクトウェーハ検査システム校正用シリコンウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M26-95 | ウエハの運搬のために使用されるウエハボックスおよびカセットの再利用ガイド | 1995 | 5 | 材料 |
| SEMI M26-96 | ウエハの運搬に使用されるウエハボックスおよびカセットの再利用ガイド | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M26-96 | ウェーハの運搬に使用されるウェーハボックスおよびカセットの再利用ガイド | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M27-97 | テスト装置の測定精度対許容範囲(P/T)比の決定法 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M27-96 | テスト装置の測定精度対許容範囲(P/T)比の決定法 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M28-96 | 300mm開発用鏡面単結晶シリコンウエハの仕様 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M28-0997(撤回1000) | 300mm開発用単結晶シリコンウェーハ仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M29-1296 | 300mmシッピングボックスの仕様 | 1997 | 5 | 材料 |
| SEMI M29-1296 | 300mmシッピングボックスの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M30-0997 | フーリエ変換赤外吸収分光法によるGaAs中の置換原子炭素濃度に対する標準テスト方法 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M31-0999 | 300mmウェーハの搬送および出荷に使用されるフロントオープニング・シッピングボックスの機械仕様(暫定仕様) | 2001 | 3 | 製造装置(ハードウェア) |
| SEMI M31-0999 | 300mmウェーハの搬送および出荷に使用されるフロントオープニング・シッピングボックスの機械仕様(暫定仕様) | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M32-0998 | 統計的仕様への指針 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M33-0998 | シリコンウェーハ表面汚染残留物の全反射X線蛍光分光法(TXRF)による測定方法 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M34-0299 | SIMOXウェーハを規定するための指針 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M35-0299E | 自動検査により検出されるシリコンウェーハ表面特性の仕様を開発するための指針 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M36-0699 | 低転位密度GaAs基板のエッチピット密度(EPD)測定方法 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M37-0699 | 低転位密度Inp基板のエッチピット密度(EPD)測定方法 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M38-0301 | 鏡面リクレイムシリコンウェーハ仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M39-0999 | 半絶縁GaAs単結晶の抵抗率及びホール係数を測定しホール移動度を決定する方法 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M40-0200 | シリコンウェーハ表面の表面ラフネス測定のガイド | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M41-0701 | 電源デバイス/IC用絶縁体上シリコン(SOI)の仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M42-1000 | 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様 | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M43-0301 | ウェーハナノポトグラフィを報告するためのガイド | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M44-0301E | シリコン中の酸素の換算係数ガイド | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI M45-0301 | 300mmウェーハシッピングシステムに関する暫定スタンダード | 2001 | 6 | 材料 |
| SEMI P1-92 | ハードサーフェス・フォトマスク用基板 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P1-92 | ハードサーフェス・フォトマスク用基板 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P1-92 | ハードサーフェス・フォトマスク用基板 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P1-92E(Reapproved0299) | ハードサーフェス・フォトマスク用基板 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P2-86 | ハードサーフェス・フォトマスク用クロムブランク | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P2-86 | ハードサーフェス・フォトマスク用クロムブランク | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P2-86 | ハードサーフェス・フォトマスク用クロムブランク | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P2-0298 | ハードサーフェス・フォトマスク用クロムブランク | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P3-90 | レジスト付きクロムブランク | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P3-90 | レジスト付きクロムブランク | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P3-90 | レジスト付きクロムブランク | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P3-0298 | レジスト付きクロムブランク | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P4-92 | 円形フォトマスク石英基板 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P4-92 | 円形フォトマスク石英基板 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P4-92 | 円形フォトマスク石英基板 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P4-92(Reapproved0299) | 円形フォトマスク石英基板 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5-92 | ペリクル | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P5-94 | ペリクル(仕様) | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5-94 | ペリクル(仕様) | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5-94 | ペリクル(仕様) | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5.1-92 | 多色(広域帯)1:1ステッパー及びスキャニングミラープロジェクションシステムに使用されるペリクル | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P5.1-94 | 多色露光システムに使用されるペリクル(スタンダード) | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5.1-94 | 多色露光システムに使用されるペリクル(スタンダード) | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5.1-94 | 多色露光システムに使用されるペリクル(スタンダード) | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5.2-92 | "g"線 露光,縮小ステッパー用ペリクル | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P5.2-94 | G線,H線およびI線露光システムに使用されるペリクル(スタンダード) | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5.2-94 | G線,H線およびI線露光システムに使用されるペリクル(スタンダード) | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P5.2-94 | G線,H線およびI線露光システムに使用されるペリクル(スタンダード) | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P6-88 | フォトマスク用レジストレーションマーク | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P6-88 | フォトマスク用レジストレーションマーク | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P6-88 | フォトマスク用レジストレーションマーク | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P6-88 | フォトマスク用レジストレーションマーク | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P7-89 | 粘性決定方法,方法A-動粘度 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P7-89 | 粘性決定方法,方法A-動粘度 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P7-89 | 粘性決定方法,方法A-動粘度 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P7-0997 | 粘性決定方法,方法A-動粘度 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P8-90 | フォトレジスト中の水分の測定方法 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P8-90 | フォトレジスト中の水分の測定方法 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P8-90 | フォトレジスト中の水分の測定方法 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P8-0997 | フォトレジスト中の水分の測定方法 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P9-89 | マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト(ガイドライン) | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P9-89 | マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト(ガイドライン) | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P9-89 | マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト(ガイドライン) | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P9-0298 | マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト(ガイドライン) | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P10-93 | フォトマスクオーダー入力用のデータ構造 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P10-93 | フォトマスクオーダー入力用のデータ構造 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P10-96 | フォトマスクオーダー入力用のデータ構造 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P10-0301 | フォトマスクオーダーのデータ構造の仕様 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P11-91 | アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P11-91 | アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P11-91 | アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P11-0997 | アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P12-91 | 誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P12-91 | 誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P12-91 | 誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P12-0997 | 誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定 | 2001 | 5 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P13-91 | 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P13-91 | 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P13-91 | 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P14-91 | 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P14-91 | 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P14-91 | 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P15-92 | 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中のナトリウムとカリウムの測定 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P15-92 | 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中のナトリウムとカリウムの測定 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P15-92 | 原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中のナトリウムとカリウムの測定 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P16-92 | 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中の錫の測定 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P16-92 | 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中の錫の測定 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P16-92 | 黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中の錫の測定 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P17-92 | 誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液における鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P17-92 | 誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液における鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P17-92 | 誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液における鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P18-92 | ウエハステッパーのオーバーレイ能力 | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P18-92 | ウエハステッパーのオーバーレイ能力 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P18-92 | ウエハステッパーのオーバーレイ能力 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P19-92 | 集積回路製造用メトロロジパターンセル | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P19-92 | 集積回路製造用メトロロジパターンセル | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P19-92 | 集積回路製造用メトロロジパターンセル | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P20-92 | EBレジストパラメータのカタログ公表(ガイドライン) | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P20-92 | EBレジストパラメータのカタログ公表(ガイドライン) | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P20-92 | EB レジストパラメータのカタログ公表(ガイドライン) | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P21-92 | マスク描画装置の精度表示(ガイドライン) | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P21-92 | マスク描画装置の精度表示(ガイドライン) | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P21-92 | マスク描画装置の精度表示(ガイドライン) | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P22-93 | フォトマスク欠陥の分類とサイズ定義についてのガイドライン | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P22-93 | フォトマスク欠陥の分類とサイズ定義についてのガイドライン | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P22-93 | フォトマスク欠陥の分類とサイズ定義についてのガイドライン | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P23-93 | プログラム欠陥マスク及びそれによるマスク欠陥検査装置の感度評価手順についてのガイドライン | 1993 | 3 | マイクロパターニング |
| SEMI P23-93 | プログラム欠陥マスク及びそれによるマスク欠陥検査装置の感度評価手順についてのガイドライン | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P23-93 | プログラム欠陥マスク及びそれによるマスク欠陥検査装置の感度評価手順ついてのガイドライン | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P24-94 | CD測長手順 | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P24-94 | CD測長手順 | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P25-94 | 焦点深度および最適焦点深度(仕様) | 1995 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P25-94 | 焦点深度および最適焦点深度(仕様) | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P26-96 | フォトレジストの感度測定用パラメータチェクリスト | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P27-96 | 基板上のレジスト膜厚の測定用パラメータチェックリスト | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI P28-96 | 仕様 集積回路製造用オーバーレイ計測テストパターン | 1997 | 4 | マイクロリソグラフィ |
| SEMI S1-90 | 視覚警報標識に関する安全ガイドライン | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI S1-90 | 視覚警報標識に関する安全ガイドライン | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S1-90 | 視覚警報標識に関する安全ガイドライン | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S1-0701 | 装置安全ラベルの安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S2-93 | 半導体製造装置安全性ガイドライン | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI S2-93 | 半導体製造装置安全性ガイドライン | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S2-93A | 半導体製造装置安全性ガイドライン | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S2-0200E | 半導体製造装置の環境,健康,安全に関するガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S2-93A | 半導体製造装置安全性ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S3-91 | 熱化学槽の安全性に関するガイドライン | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI S3-91 | 熱化学槽の安全性に関するガイドライン | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S3-91 | 熱化学槽の安全性に関するガイドライン | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S3-91 | 熱化学槽の安全性に関するガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S4-92 | キャビネット収納ガスシリンダーの隔離/分離に関する安全性ガイドライン | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI S4-92 | キャビネット収納ガスシリンダーの隔離/分離に関する安全性ガイドライン | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S4-92 | キャビネット収納ガスシリンダーの隔離/分離に関する安全性ガイドライン | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S4-92 | キャビネット収納ガスシリンダーの隔離/分離に関する安全性ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S5-93 | 流量制限デバイスの安全指針 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI S5-93 | 流量制限デバイスの安全指針 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S5-93 | 流量制限デバイスの安全指針 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S5-93 | 流量制限デバイスの安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S6-93 | 換気のための安全指針 | 1993 | 2 | 設備・安全性 |
| SEMI S6-93 | 換気のための安全指針 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S6-93 | 換気のための安全指針 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S6-93 | 換気のための安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S7-94 | 第三者機関による装置の環境,健康,および安全性評価に対する安全性ガイドライン | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S7-96 | 半導体製造装置の環境,健康,及び安全性(ESH)評価の安全性ガイドライン | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S7-96 | 半導体製造装置の環境,健康,及び安全性(ESH)評価の安全性ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S8-95 | 半導体製造装置の人間工学/ヒューマンファクターズに基づくエンジニアリングに対する安全性ガイドライン | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S8-95 | 半導体製造装置の人間工学/人的要因に基づくエンジニアリングに耐する安全性ガイドライン | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S8-0701 | 半導体製造装置の人間工学エンジニアリングに対する安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S9-95 | 半導体製造装置の電気的試験方法 | 1995 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S9-95 | 半導体製造装置の電気的試験方法 | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S9-95 | 半導体製造装置の電気的試験方法 | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S10-1296 | 危険性査定のための安全性ガイドライン | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S10-1296 | リスク査定のための安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S11-1296 | 半導体製造装置のミニエンバイロメントに関する環境,安全性,および健康についてのガイドライン | 1997 | 3 | 設備及び安全性 |
| SEMI S11-1296 | 半導体製造装置のミニエンバイロメントに関する環境,安全性,および健康についてのガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S12-0298 | 装置の汚染除去に対するガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S13-0298 | 半導体製造装置の操作及び保守マニュアルの安全性ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S14-0200E | 半導体製造装置に対する火災リスクの評価と軽減のための安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S15-0200 | 毒性及び引火性ガスの検知システム評価のための安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S16-0600 | 半導体製造装置の廃棄に対する環境,健康,及び安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI S17-0701 | 無人搬送台車(UTV)システムの安全ガイドライン | 2001 | 4 | 設備及び安全性 |
| SEMI T1-93 | シリコンウエハの裏面にバーコードをマーキングする場合の仕様 | 1993 | 3 | トレーサビリティ |
| SEMI T1-95 | シリコンウエハの裏面にバーコードをマーキングする場合の仕様 | 1995 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T1-95 | シリコンウエハの裏面にバーコードをマーキングする場合の仕様 | 1997 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T1-95 | シリコンウェーハの裏面にバーコードをマーキングする場合の仕様 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T2-93 | ウエハに2次元のドットマトリックスコードをマーキングする場合の仕様 | 1993 | 3 | トレーサビリティ |
| SEMI T2-95 | ウエハに2次元のドットマトリックスコードをマーキングする場合の仕様 | 1995 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T2-95 | ウエハに2次元のドットマトリックスコードをマーキングする場合の仕様 | 1997 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T2-0298E | ウェーハ表面への2次元マトリクスコードシンボルのマーキング | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T3-95 | ウエハボックスラベルの仕様 | 1995 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T3-0697 | ウエハボックスラベルの仕様 | 1997 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T3-0697E | ウェーハボックスラベルの仕様 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T4-95 | 150mmおよび200mmPOD識別寸法の仕様 | 1995 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T4-95 | 150mmおよび200mmPOD識別寸法の仕様 | 1997 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T4-0301 | 150mmおよび200mmPOD識別寸法の仕様 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T5-96 | 円形ガリウム砒素ウエハの英数字マーキング仕様 | 1997 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T5-96E | 円形ガリウムヒ素ウェーハの英数字マーキング仕様 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T6-0697 | 電子的データ交換(EDI)による試験結果報告の手順と書式 | 1997 | 5 | トレーサビリティ |
| SEMI T6-0697E | 電子的データ交換(EDI)による試験結果報告の手順と書式 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T7-0997E | 2次元マトリクスコードシンボルの両面研磨ウェーハマーキング | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T8-0698E | FPD ガラス基板に二次元のマトリクスコードシンボルをマーキングする場合の仕様 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T8-0698E | FPDガラス基板に二次元のマトリクスコードシンボルをマーキングする場合の仕様 | 2001 | 6 | FPD |
| SEMI T9-0200E | 2次元データマトリクスコードシンボルを使用した金属製リードフレームストリップのマーキングに関する仕様 | 2001 | 5 | パッケージング |
| SEMI T9-0200E | 2次元データマトリクスコードシンボルを使用した金属製リードフレームストリップのマーキングに関する仕様 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |
| SEMI T10-0701 | 2次元データマトリクス直接マーク品質を評価するテスト方法 | 2001 | 6 | トレーサビリティ |